第三讲半导体二极管
第三讲 半导体二极管
③大 第三讲半导体二极管 二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压二极管
第三讲 半导体二极管 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压二极管
、二极管的组成明极 将PN结封装,引出两个电极,就构成了二极管。 a--) 阳极引线 阳极引线 金属丝N型锗片 铝合金小球 SO2保护层 PN结 N型硅 金锑合金 P型硅 阳板引线二(阴极引线 底座 N型硅 外壳 极引线 阴极引线 (c) 点接触型 面接触型: 平面型 结面积小,结电容小结面积大,结电容大结面积可小、可大 故结允许的电流小故结允许的电流大小的工作频率高 最高工作频率高 最高工作频率低 大的结允许的电流大
一、二极管的组成 将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。 点接触型： 结面积小，结电容小 故结允许的电流小 最高工作频率高 面接触型： 结面积大，结电容大 故结允许的电流大 最高工作频率低 平面型： 结面积可小、可大 小的工作频率高 大的结允许的电流大
二极管的伏安特性及电流方程 二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性 i=f(u)o R D O 击穿反向饱开启 i=(-1)(常温下U=26mM电压和电流电压 温度的「材料开启电压导通电压反向饱和电流 电压当量硅s0s1 0.5~0.8 1uA以 锗Ge 0.1V 0.1~0.3V 几十uA 般取Si的导通电压为0.7V,Ge的为0.2V
二、二极管的伏安特性及电流方程 二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性 材料 开启电压 导通电压 反向饱和电流 硅Si 0.5V 0.5~0.8V 1µA以下 锗Ge 0.1V 0.1~0.3V 几十µA i = f (u) 开启 电压 反向饱 和电流 击穿 i = I S (e T −1) ( UT = 26mV) 电压 U u 常温下 温度的 电压当量 一般取Si的导通电压为0.7V，Ge的为0.2V
从二极管的伏安特性可以反映出: 1.单向导电性 正向特性为 80°C20°C 指数曲线 i=(e1-1) 若正向电压>>U,则i≈le 若反向电压叫>U,则≈ 2.伏安特性受温度影响 反向特性为横轴的平行线 T(℃)↑→在电流不变情况下管压降↓若A1(510)A, →反向饱和电流↑,U(BR↓ A1>>A2 T(℃)↑→正向特性左移,反向特性下移
从二极管的伏安特性可以反映出： 1. 单向导电性 若反向电压 ，则 。 若正向电压 ，则 ； T S T S T e u U i I u U i I U u − (e 1) T = S − U u i I 2. 伏安特性受温度影响 T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移 正向特性为 指数曲线 反向特性为横轴的平行线 若A1>（5-10）A2， 则A1>>A2