51.13gPM 一、PN结的形成 在同一片半导体基片上,分别制造P型半导 体和N型半导体,经过载流子的扩散,在它们的 交界面处就形成了PN结
16 §1.1.3 PN结 一、 PN 结的形成 在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导 体和N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的 交界面处就形成了PN 结
内电场越强,就使漂移 运动越强,而漂移使空 问电荷区变薄。 漂移运动 P型半导体 内电场N型半导体 eeee④④④ 空间电荷区, 扩散的结果是使空间电 荷区逐渐加宽,空间电 也称耗尽层。 扩散运动荷区越宽
17 P型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场E 漂移运动 扩散的结果是使空间电 荷区逐渐加宽，空间电 荷区越宽。 内电场越强，就使漂移 运动越强，而漂移使空 间电荷区变薄。 空间电荷区， 也称耗尽层