《模拟电子技术》课程教学资源（PPT课件讲稿）第2章 半导体三极管（2.3）半导体三极管的基本分析方法

拟电子彼求 第2章半导体三极管 工程近似分析法 BB +ikER BB BEon 5kS uce BO VBBO3V uBE 5V CC B 3-0.7 =0.02(mA) 115 B=100 cQ Bl BQ =100×0.02=2(m4) U CEQCCCQ 5-2×1=3(V)

二、工程近似分析法 + – RB + RC uCE – + uBE − + – V VCC BB 3 V 5 V iB iC 115 k 1 k  = 100 B BB BE(on) BQ R V U I −  CQ BQ I =  I UCEQ =VCC − I CQRC 0.02(mA) 115 3 0.7 = − = = 1000.02 = 2(mA) = 5 − 21 = 3(V) 第 2 章 半导体三极管

拟电子彼求 第2章半导体三极管 电路参数对静态工作点的影响 1.改变RB,其他参数不变 RBT→>lB lB Q趋近截止区; BB B RB↓→iB个 Q趋近饱和区 L. UBE BB CO CE 2.改变Rc,其他参数不变 ccR Rc↑Q趋近饱和区。 C BE CE CEQ CC

三、电路参数对静态工作点的影响 1. 改变 RB，其他参数不变 uBE iB uCE iC VBB VCC VBB RB Q Q R B → iB  Q 趋近截止区； R B → iB  Q 趋近饱和区。 2. 改变 RC ，其他参数不变 RC Q 趋近饱和区。 iC uBE iB uCE VCC UCEQ Q Q ICQ VCC RC 第 2 章 半导体三极管

拟电子彼求 第2章半导体三极管 例23.1设RB=38kQ,求VB=0V、3V时的i、uEo lcmA 60 uA BB HkOR μ L CE 30队uA BB O3V BE CC 5 4321 20 HA IOwA μ B 0 [解] 0.3 5v ucE 当vB=0V:iB≈0, 判断是否饱和 ≈0, CE≈5 临界饱和电流Is和/Bs: 当V CC BB 3V CE(sat) CC CS B VBB-U BE(oD)=0.06 mA C CS CC B BS B BR c CE≈0.3V≈0,ic≈5mA B BS y 则三极管饱和

iC = ViCC C /R0C 例 2.3.1 设 RB= 38k，求 VBB = 0V、3V 时的 iC、uCE。 + – RB + RC uCE – + uBE − + – V VCC BB 3V 5V iB iC 1 k [解] uCE/V iC/mA iB= 0 10 A 20 A 30 A 40 A 50 A 60 A 4 1 O 2 3 5 当VBB= 0 V： iB  0， iC  0， 5 V uCE  5 V 当VBB = 3 V： B BB BE(on) B R V U i − = = 0.06 mA 0.3 uCE  0.3 V  0，iC  5 mA 三极管的开关等效电路 截止 状态 B S C E VCC + − RC RB iB  0 uCE  5V iB 饱和 状态 uCE  0 判断是否饱和 临界饱和电流 ICS和IBS ： C CC C CC CE(sat) CS R V R V U I  − = C CS CC B S R I V I   =  iB > IBS，则三极管饱和。 第 2 章 半导体三极管