2.2门极可关断品闸管 2.2.1概述 2.2.2GT0的结构和工作原理 2.2.3GT0的动态特性 2.2.4GT0的主要参数 2.2.5GT0的驱动 返回 合p
2.2 门极可关断晶闸管 2.2.1 概述 2.2.2 GTO的结构和工作原理 2.2.3 GTO的动态特性 2.2.4 GTO的主要参数 2.2.5 GTO的驱动 返回
2.2.1概逑 门极可关断晶闸管 晶闸管的一种派生器件 可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断 GTO的电压、电流容量较大,与普通晶闸管接近, 因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用 返回 合p
2.2.1 概述 ➢ 门极可关断晶闸管 晶闸管的一种派生器件 可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断 GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近， 因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用 返回
2.2.2GTO的结枸和工作原狸 结构:与普通晶闸管的相同点:PNPN四层半导体结构, 外部引出阳极、阴极和门极 和普通晶闸管的不同:GTO是一种多元的功率集成器件,内 部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元,这些GTO元的 阴极和门极则在器件内部并联在一起 图2-5GT0的内部结构和电气图形符号 a)各单元的阴极、门极间隔排列的图形b)并联单元结构断面示意图c)电气图形符号 返回 合p
2.2.2 GTO的结构和工作原理 ➢ 结构：与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体结构， 外部引出阳极、阴极和门极 ➢ 和普通晶闸管的不同：GTO是一种多元的功率集成器件，内 部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，这些GTO元的 阴极和门极则在器件内部并联在一起 图2－5 GTO的内部结构和电气图形符号 a) 各单元的阴极、门极间隔排列的图形 b) 并联单元结构断面示意图 c) 电气图形符号 c) 图1-13 A G K G K G N1 P1 N2 P N2 2 a) b) A G K 返回
2.2.2GTO的结枸和工作原理 工作原理: 与普通晶闸管一样,可以用图2-6所示的双晶体管模型来分析 P PNP R P G NPN E k K a) 图2—6GT0元或晶闸管的等效电路 ax+a2=1是器件临界导通的条件。当a1+a2x1时,两个等效晶体管 过饱和而使器件导通;当a1+a2<时,不能维持饱和导通而关断 合p
2.2.2 GTO的结构和工作原理 ➢ 工作原理： ➢ 与普通晶闸管一样，可以用图2－6所示的双晶体管模型来分析 ➢ 1+2 =1是器件临界导通的条件。当1+2>1时，两个等效晶体管 过饱和而使器件导通；当1+2<1时，不能维持饱和导通而关断 R NPN PNP A G S K EG I G EA I K I c2 I c1 I A V1 V2 P1 A G K N1 P2 P2 N1 N2 a) b) 图2－6 GTO元或晶闸管的等效电路
2.2.2GTO的结枸和工作原狸 GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如 下区别: (1)设计α较大,使晶体管V2控制灵敏,易于GTO关断 (2)导通时a1+a2更接近1(≈105,普通晶闸管a1+a21.15) 导通时饱和不深,接近临界饱和,有利门极控制关断,但导通 时管压降增大 (3)多元集成结构使GTO元阴极面积很小,门、阴极间距大 为缩短,使得P2基区橫向电阻很小,能从门极抽出较大电流 合p
2.2.2 GTO的结构和工作原理 ➢ GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如 下区别： （1）设计2较大，使晶体管V2控制灵敏，易于GTO关断 （2）导通时1+2更接近1（1.05，普通晶闸管1+21.15） 导通时饱和不深，接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通 时管压降增大 （3）多元集成结构使GTO元阴极面积很小，门、阴极间距大 为缩短，使得P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流