二、杂质半导体1.N型半导体多数载流子空穴比未加杂质时的数目多了？少了？为什么？自由电子杂质半导体主要靠多数载流T子导电。掺入杂质越多，多子主浓度越高，导电性越强，实现原导电性可控。+4(P)磷
二、杂质半导体 1. N型半导体 +5 磷（P） 杂质半导体主要靠多数载流 子导电。掺入杂质越多，多子 浓度越高，导电性越强，实现 导电性可控。 多数载流子 空穴比未加杂质时的数目多 了？少了？为什么？
2.P型半导体多数载流子P型半导体主要靠空穴导电空穴掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强，空位+3在杂质半导体中，温度变化时受主载流子的数目变化吗？少子与多原子子变化的数目相同吗？少子与多子浓度的变化相同吗？硼(B)
2. P型半导体 +3 硼（B） 多数载流子 P型半导体主要靠空穴导电， 掺入杂质越多，空穴浓度越高， 导电性越强， 在杂质半导体中，温度变化时， 载流子的数目变化吗？少子与多 子变化的数目相同吗？少子与多 子浓度的变化相同吗？
三、PN结的形成及其单向导电性物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有之。空穴负离子正离子自由电子P区空穴N区自由电浓度远高子浓度远高于N区。于P区。P区N区扩散运动扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低，产生内电场
三、PN结的形成及其单向导电性 物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气 体、液体、固体均有之。 扩散运动 P区空穴 浓度远高 于N区。 N区自由电 子浓度远高 于P区。 扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面 N区的自由电子浓度降低，产生内电场
PN结的形成由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，形成内电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N区运动。空间电荷区漂移运动因电场作用所产生的运动称为漂移运动。O+一+P区N区达到动态参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，平衡，就形成了PN结
PN 结的形成 因电场作用所产 生的运动称为漂移 运动。 参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态 平衡，就形成了PN结。 漂移运动 由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，形成 内电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P 区、自由电子从P区向N 区运动
PN结的单向导电性耗尽层耗尽层-N区P区P区N区+++XC+O++-Ox+?OC+O+内电场内电场外电场+外电场+URRV1必要吗？加反向电压截止：PN结加正向电压导通耗尽层变窄，扩散运动加耗尽层变宽，阻止扩散运动剧，由于外电源的作用，形有利于漂移运动，形成漂移电成扩散电流，PN结处于导通流。由于电流很小，故可近似状态。认为其截止
PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加 剧，由于外电源的作用，形 成扩散电流，PN结处于导通 状态。 PN结加反向电压截止： 耗尽层变宽，阻止扩散运动， 有利于漂移运动，形成漂移电 流。由于电流很小，故可近似 认为其截止。 PN 结的单向导电性 必要吗？