PN结的形成及特性 1.PN结的形成 用一定的工艺方法把P型和N型半导体结 合在一起,会在两者结合处形成一层带电的空 间电荷区,称为PN结( INjunction) PN结是构成晶体二极管、三极管、集成 电路等半导体器件的基础
二. PN结的形成及特性 1. PN结的形成 用一定的工艺方法把P型和N型半导体结 合在一起，会在两者结合处形成一层带电的空 间电荷区，称为PN结(PN junction)。 PN结是构成晶体二极管、三极管、集成 电路等半导体器件的基础
空间 P 电荷区N GQ⑥:④ oo oto oo 6;oD E (a)载流子的扩散运动 b)空间电荷区的形成 图2-4N结的形成 多子的扩散电子空穴对的复合 内部电场的形成少子的漂移运动漂移电流
多子的扩散 电子-空穴对的复合 内部电场的形成 少子的漂移运动 漂移电流
内电场越强,就使漂移 运动越强,而漂移使空 间电荷区变薄。 漂移运动 P型半导体 型半导体 内电场E e909990000(0 空间电荷区, 扩散的结果是使空间电 也称耗尽层。 扩散运动荷区逐渐加宽
P型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场E 漂移运动 扩散的结果是使空间电 荷区逐渐加宽。 内电场越强，就使漂移 运动越强，而漂移使空 间电荷区变薄。 空间电荷区， 也称耗尽层
当多子的扩散与少子的漂移两种运动相等时,扩 散电流与漂移电流相等,这种状态称为动态平衡状态。 此时,空间电荷区的厚度就确定下来,内电场Ei 也达到一稳定值。PN结处于相对稳定状态,但载流 子的运动过程仍在不断的进行,只是单位时间内扩散 的载流子数与漂移的载流子数相等。 因空间电荷区有阻挡扩散运动的作用,故称为阻 挡层。又由于空间电荷区中基本上没有载流子,因而 亦称为耗尽层。在动态平衡时的空间电荷区就是PN 结
当多子的扩散与少子的漂移两种运动相等时，扩 散电流与漂移电流相等，这种状态称为动态平衡状态。 此时，空间电荷区的厚度就确定下来，内电场Ei 也达到一稳定值。PN结处于相对稳定状态，但载流 子的运动过程仍在不断的进行，只是单位时间内扩散 的载流子数与漂移的载流子数相等。 因空间电荷区有阻挡扩散运动的作用，故称为阻 挡层。又由于空间电荷区中基本上没有载流子，因而 亦称为耗尽层。在动态平衡时的空间电荷区就是PN 结
PN结的导电性能 在PN结两端加不同极性的直流电压,其 导电性能有很大差异。 (1)加正向电压,PN结导通 当外电源的正极接P区、负极接N区时, PN结加的是正向电压,这种连接方式称为正 向偏置
2. PN结的导电性能 在PN结两端加不同极性的直流电压，其 导电性能有很大差异。 （1）加正向电压，PN结导通 当外电源的正极接P区、负极接N区时， PN结加的是正向电压，这种连接方式称为正 向偏置