2)部分地址译码方式 只有部分高地址线参预译码,参加译 码的高位地址愈少,译码电路愈简单则 同一芯片所占的内存地址就愈多,这种 译码方式的译码器电路比较简单,但会 破坏地址空间的连续性并减少了总的地 址空间
11 2）部分地址译码方式 只有部分高地址线参预译码，参加译 码的高位地址愈少，译码电路愈简单则 同一芯片所占的内存地址就愈多，这种 译码方式的译码器电路比较简单，但会 破坏地址空间的连续性并减少了总的地 址空间
部分地址译码例 两组地址 F000OH-FIFFFH B0OOOH-BIFFFH A19 A17 6264 A16 & CS1 A15 A14 ≥1 A13
部分地址译码例 • 两组地址： F0000H~F1FFFH B0000H~B1FFFH A19 A17 A16 A15 A14 A13 & 1 6264 CS1
应用举例 将SRAM6264芯片与系统连接,使其地 址范围为:38000H~39FFFH 使用74LS138译码器构成译码电路
应用举例 • 将SRAM 6264芯片与系统连接，使其地 址范围为：38000H~39FFFH • 使用74LS138译码器构成译码电路
应用举例 D0~D7 D0~D7 AO AO A12 A12 MEMW WE MEMR GI A19 G2A VCC A17 G2B CS2 A15 A18 A14 A13 CBA
应用举例 D0~D7 A0 A12 ••• WE OE CS 1 CS 2 ••• A 0 A12 MEMW MEMR D0~D7A19 G 1 G2A G2B CBA & & A18 A14 A13 A17 A16 A15 VCC Y 0
例5-用存储芯片SRAM6116构成一个 4KB的存储器。要求其地址范围在 78000H78FFFH之间。 分析: Vcc A8 AgW/ROE A10CS D7 d Ds D4 D3 242322212019181716151413 a7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 Ao Do Di D2 gnd
15 • 例5-1用存储芯片SRAM6116构成一个 4KB的存储器。要求其地址范围在 78000H~78FFFH之间。 分析： •6116为2K*8bit 的存储芯片 •地址范围对应的存储空间为4KB，所以需要2片6116 •采用全译码方式，使用1片74LS138 P205 6116 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 VCC A8 A9W/ROE A10CS D7 D6 D5 D4 D3 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND