例5-2用8256存储芯片构成1MB的存储器。 分析: 8256为256K8bit的存储芯片 构成1MB的存储器,需要4片8256 采用全译码方式,使用1片74LS138 P206 16
16 • 例5-2用8256存储芯片构成1MB的存储器。 分析： •8256为256K*8bit 的存储芯片 •构成1MB的存储器，需要4片8256 •采用全译码方式，使用1片74LS138 P206
522动态随机存储器DRAM 特点 存储元主要由电容构成,由于电容存在 的漏电现象而使其存储的信息不稳定, 故DRAM芯片需要定时刷新
5.2.2 动态随机存储器DRAM • 特点： • 存储元主要由电容构成，由于电容存在 的漏电现象而使其存储的信息不稳定， 故DRAM芯片需要定时刷新
字选线 位线 (数据线) C 读出 放大器 单管动态存储电路
读出 放大器 D 位线 (数据线) CD V1 C 字选线 单管动态存储电路
典型DRAM芯片2164A NC 16 N 15 CAS WE 2345678 14 OUT RAS 13 A6 AO 12 A3 A2 11 A4 Al 10 A5 GND A7 2164外部引脚
典型DRAM芯片2164A • RAS：行地址选通信号。用于锁存行地址 • CAS：列地址选通信号 地址总线上先送上行地址，后送上列地址，它们 分别在RAS和CAS有效期间被锁存在锁存器中 • DIN： 数据输入 • DOUT：数据输出 WE=O 数据写入 WE=1 数据读出 WE：写允许信号 NC DIN WE RAS A0 A2 A1 GND — — — — — — — — VCC CAS DOUT A6 A3 A4 A5 A7 — — — — — — — — 1 16 2 15 3 14 4 13 5 12 6 11 7 10 8 9 2164外部引脚
典型DRAM芯片2164A 2164A:64K×1bit 采用行地址和列地址来确定一个单元 行列地址分时传送, 共用一组地址信号线 地址信号线的数量仅 为同等容量SRAM芯 片的一半
典型DRAM芯片2164A • 2164A：64K×1bit • 采用行地址和列地址来确定一个单元 • 行列地址分时传送， 共用一组地址信号线 • 地址信号线的数量仅 为同等容量SRAM芯 片的一半