、6264存储芯片的引线及其功能 °6264的外部结构 A 27 WE 封装及引即 26 C 25 A A~A12地址输入,213=8192-8KA1-6 24 A A 23 A A ·D。~D双向数据线 A 21 A A 20 CS1 CS2片选信号 A 19-IO8 I/O OE读允许信号 I/O 12 17 I/O 13 16 /O GND ·WE写允许信号 (a)8K×8SRAM引脚图 6264引脚图
6264引脚图 封装及引脚 A0 ～A12地址输入，2 13=8192=8K D0 ～D7双向数据线 WE 写允许信号 OE 读允许信号 CS1 CS2 片选信号 6264 9 (a) 8K×8 SRAM引脚图 NC A4 A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12 I / O1 I / O2 I / O3 GND 1 2 3 4 5 6 7 8 10 11 12 13 14 20 28 27 26 25 24 23 22 21 19 18 17 16 15 VCC CS2 A3 A2 A1 A0 I/O8 I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 WE OE CS1 1、6264存储芯片的引线及其功能 •6264的外部结构
表5-1SRAM6264真值表 1 2OEWE工作方式WO线状态 未选中(掉电) 高阻 0 未选中(掉电 高阻 0 输出禁止 高阻 0 读 D OUT 0 0 写 D 0 0 写 D IN
表5-1 SRAM 6264真值表 CS1 CS2 OE WE 工作方式 I/O线状态 1 × 0 0 0 0 × 0 1 1 1 1 × × 1 0 1 0 × × 1 1 0 0 未选中(掉电) 未选中(掉电) 输出禁止 读 写 写 高阻 高阻 高阻 DOUT DIN DIN
2、6264工作过程 6264写操作时序: 在芯片的A12~A0上加上要写入单元的地址; 使CS1和CS2同时有效; 在WE上加上有效的低电平,OE无效高电平。 在D7~D0上加上要写入的数据 A12~A0 CS1 CS2 WE D7~D0
8 2、6264工作过程 6264写操作时序： 在芯片的A12~A0上加上要写入单元的地址； 在D7~D0上加上要写入的数据； 使CS1和CS2同时有效； 在WE上加上有效的低电平，OE无效高电平。 A12~A0 CS1 CS2 WE D7~D0
6264的工作过程 3、连接使用 芯片的选片信号是由高位地址和控制信号译码 形成的,由它们来决定芯片在内存的地址范围。 1)全地址译码方式 每一个存储单元唯一地占据内存空间的 个地址。地址线全部参预了译码。 低位地址(AA12)经片内部译码可以决 定芯片内部的每一个单元,高位地址(A1p A13)利用译码器来决定将芯片放置在内存空 间的什么位置上
9 • 6264的工作过程 3、连接使用 芯片的选片信号是由高位地址和控制信号译码 形成的，由它们来决定芯片在内存的地址范围。 1）全地址译码方式 每一个存储单元唯一地占据内存空间的一 个地址。地址线全部参预了译码。 低位地址（A0—A12）经片内部译码可以决 定芯片内部的每一个单元，高位地址（A19— A13）利用译码器来决定将芯片放置在内存空 间的什么位置上
全地址译码例 所接芯片的地址范围 FOOOOH-FIFFFH A19 A18 6264 A17 A16 & CS1 A15 A14 ≥1 A13
10 全地址译码例 • 所接芯片的地址范围 F0000H~F1FFFH A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 & 1 6264 CS1