1.1.1半导体及结 当vn>U7 时, THJ,D DR S 当UD<v<O)时,iD≈-ls 当vn<UD时,迅速增大,击穿 BACK NEX
1.1.1 半导体及PN结 VT v D T H v U ，i I e / D S D 当 时 0 D S U v ，i I 当 DR D 时 − vD/V iD/mA UDR IS UTH 当vD UDR时，i D 迅速增大， 击穿
1.1.1半导体及结 (三)PN结的击穿 A.掺杂浓度高 B.耗尽层宽度较窄 ①齐纳击穿:〈C.较小的反向电压,很强电场 D.直接破坏共价键,拉出电子, 产生电子一空穴对 A.掺杂浓度不高 B.耗尽层宽度较宽 ②雪崩击穿:c较大的反向电压,很强电场 D.漂移运动的少子被加速,将共 价键中的价电子碰撞出来 形成电子一空穴对,以此循环 BACK NEX
1.1.1 半导体及PN结 （三）PN结的击穿 ①齐纳击穿： ②雪崩击穿： A.掺杂浓度高 B.耗尽层宽度较窄 C.较小的反向电压，很强电场 D.直接破坏共价键，拉出电子， 产生电子-空穴对 A.掺杂浓度不高 B.耗尽层宽度较宽 C.较大的反向电压，很强电场 D.漂移运动的少子被加速，将共 价键中的价电子碰撞出来, 形成电子-空穴对,以此循环
1.1.1半导体及结 A.采取限流措施 B.控制Ⅳ结温度 ③电击穿: CPN结不会损坏 D.取消反向击穿电压后,恢复正常 A.反向电流过大 B.PN结温度快速升高 ④热击穿: C.PN结损坏 D.取消反向击穿电压后,不能恢复 BACKNEX
1.1.1 半导体及PN结 ③电击穿： ④热击穿： A.采取限流措施 B.控制PN结温度 C.PN结不会损坏 D.取消反向击穿电压后,恢复正常 A.反向电流过大 B. PN结温度快速升高 C.PN结损坏 D.取消反向击穿电压后,不能恢复
1.1.1半导体及结 (四)PN结电容 ①势垒电容C:耗尽层中的电荷量随外加电压的变 化而变化形成的电容效应。 A.外加电压的变化频率高,电容效 应明显。 电容C的特点: B.CB为非线电容,反偏加电压越 高,CB越小;正偏电压越高,CB 越大。 BACK NEX
1.1.1 半导体及PN结 （四）PN结电容 ①势垒电容CB：耗尽层中的电荷量随外加电压的变 化而变化形成的电容效应。 电容CB的特点： B. CB为非线电容，反偏加电压越 高， CB 越小；正偏电压越高, CB 越大。 A.外加电压的变化频率高,电容效 应明显
1.1.1半导体及结 ②扩散电容CD:耗尽层中的电荷量随外加电压的变 化引起PN结两侧区域内积累电荷量 的变化形成的电容效应 A.外加电压的变化频率高,电容效 应明显。 电容Cn的特点:{B.c为非线电容,反偏时,C很 小,可忽略;正偏电压越高,CD 越大。 BACK NEX
1.1.1 半导体及PN结 ②扩散电容CD： 电容CD的特点：B. CD为非线电容，反偏时， CD很 小，可忽略；正偏电压越高, CD 越大。 A.外加电压的变化频率高,电容效 应明显。 耗尽层中的电荷量随外加电压的变 化引起PN结两侧区域内积累电荷量 的变化形成的电容效应