2.△程序存贮器芯片工作方式 EPROM有下以几种工作方式,由OE、CE/PGM及VP 各信号状态组合确定 引脚 方式 CE/PGM OE VE PP 0 「读出低低+5程序读出 未选中 +5V 高阻 编程正脉冲高+25V程序写入 程序检验低低+25V程序读出 编程禁止低高+25V高阻
2． △程序存贮器芯片工作方式 EPROM有下以几种工作方式，由OE、CE/PGM及VPP 各信号状态组合确定。 引 脚 方式 CE/PGM OE VPP O7～O0 读出 未选中 编程 程序检验 编程禁止 低 高 正脉冲 低 低 低 × 高 低 高 +5V +5V +25V +25V +25V 程序读出 高阻 程序写入 程序读出 高阻
(1)读出方式 CPU从 EPROM中读取代码,为单片机应用系统的工作方式。此时CE、OE均为 低电平,Vp=5V (2)维持方式 即末选中状态,此时CE为高电平,数据输出为高阻状态,功耗下降75%,处于 氐功率维持状态 (3)编程方式 把程序代码固化到PROM中。Vp端加+25V高压,O高电平。每当 CE/PGM端 出现脉冲时,写入一个存贮单元信息 (4)编程校验方式 即检查编程写入的信息是否正确,通常紧跟编程之后。VP=+2V,CE及OE为 低电平。 (5)编程禁止方式 2716不但可单片编程,也允许多片同时编程,好把同样信息并行写入多片 2716中。多片编程时,若要写入各片的数据不尽相同,可使某片或某几片芯片 处于编程状态或编程禁止状态,当CE/PGM信号加低电平时,该芯片处于编程 禁止状态,不写入数据
（1）读出方式 CPU从EPROM中读取代码，为单片机应用系统的工作方式。此时CE、OE均为 低电平，VPP＝5V （2）维持方式 即未选中状态，此时CE为高电平，数据输出为高阻状态，功耗下降75％，处于 低功率维持状态 （3）编程方式 把程序代码固化到EPROM中。VPP端加+25V高压，OE高电平。每当CE/PGM端 出现脉冲时，写入一个存贮单元信息。 （4）编程校验方式 即检查编程写入的信息是否正确，通常紧跟编程之后。VPP＝+25V，CE及OE为 低电平。 （5）编程禁止方式 2716不但可单片编程，也允许多片同时编程，好把同样信息并行写入多片 2716中。多片编程时，若要写入各片的数据不尽相同，可使某片或某几片芯片 处于编程状态或编程禁止状态，当CE/PGM信号加低电平时，该芯片处于编程 禁止状态，不写入数据
92.2程序存贮器的扩展 1,单片程序存贮器的扩展 1)数据线 2716的数据线O~O直接与8031的P口相应位相连。 (2)地址线 程序存贮器ROM芯片内部集成着地址译码器,可以根据从片外输入的 地址信号直接找到相应的地址单元 (3)控制线 ①OE与8031的PSEN相连,以实现单片机执行MOVC指令时的工作选通 和与CPU的同步。 ②CE接地,表示始终选通 ③8031的ALE与74LS373的触发端G相连,以实现P口的分时复用 ④8031的EA端接地,表示始终使用片外ROM
9.2.2 程序存贮器的扩展 1．单片程序存贮器的扩展 （1）数据线 2716 的数据线O0～O7直接与8031的 P0 口相应位相连。 （2）地址线 程序存贮器ROM芯片内部集成着地址译码器，可以根据从片外输入的 地址信号直接找到相应的地址单元。 （3）控制线 ①OE与8031的PSEN相连，以实现单片机执行MOVC指令时的工作选通 和与CPU的同步。 ②CE接地，表示始终选通。 ③8031的ALE与74LS373的触发端G相连，以实现P0口的分时复用。 ④8031的EA端接地，表示始终使用片外ROM
+5V Vss Vo 07~008 Po7D7-Do ALE SGGND 2716 74LS373 8031 P2.3 aI P2.2~P2.0 A10~A8 SEN OE EA PI 图9-58031最小系统中2716芯片CE端的另一种连接
ALE P2.2～P2.0 PSEN VS S 8 8 3 8 8 8 8 OE D7～D0 G GND O7～O0 VC C 74LS373 +5V VC C A7～A0 VS S A1 0～A8 O7～O0 OE CE 2716 P2.3 EA
2.多片程序存贮器的扩展 1)各ROM芯片的数据线并行连接 2)各芯片的地址线并行连接。2764芯片内有8KB ROM单元,共有13根地址线。 3)各芯片的控制信号PSEN并行连接。 4)各芯片的片选信号CE是不同的,需要分别产生
2．多片程序存贮器的扩展 1）各ROM芯片的数据线并行连接。 2）各芯片的地址线并行连接。2764芯片内有8KB ROM单元，共有13根地址线。 3）各芯片的控制信号PSEN并行连接。 4）各芯片的片选信号CE是不同的，需要分别产生