一载流子浓度 对于固有电导（本征电导），载流子由晶体本身热缺 陷 —弗仑克尔缺陷和肖脱基缺陷提供。 弗仑克尔缺陷的填隙离子和空位的浓度相等。都可表示为： V,=Nexp(E,/2kT） 单位体积内离子结点数 E,—形成一个弗仑克尔缺陷所需能量 肖脱基空位浓度，在离子晶体中可表示为： N,Nexp(-E,/2kT) N一单位体积内离子对数目 E。—离解一个阴离子和一个阳离子并到达表面所需能量
弗仑克尔缺陷的填隙离子和空位的浓度相等。都可表示为： N N ( E kT ) f = exp − f 2 ——单位体积内离子结点数 ——形成一个弗仑克尔缺陷所需能量 肖脱基空位浓度，在离子晶体中可表示为： N Ef N N ( E kT ) s = exp − s 2 ——单位体积内离子对数目 ——离解一个阴离子和一个阳离子并到达表面所需能量。 N E s 一.载流子浓度 对于固有电导（本征电导），载流子由晶体本身热缺 陷——弗仑克尔缺陷和肖脱基缺陷提供
热缺陷的浓度决定于温度T和离解能。 常温下： kT比起E来很小，因而只有在高温下，热缺陷 浓度才显著大起来，即固有电导在高温下显著。 E和晶体结构有关，在离子晶体中，一般肖特基缺陷形 成能比弗仑克尔缺陷形成能低许多，只有在结构很松、 离子半径很小的情况下才易形成弗仑克尔缺陷，如 AgCI晶体易生成间隙离子Ag*
热缺陷的浓度决定于温度T和离解能。 常温下 ： 比起 来很小，因而只有在高温下，热缺陷 浓度才显著大起来，即固有电导在高温下显著。 kT E E和晶体结构有关，在离子晶体中，一般肖特基缺陷形 成能比弗仑克尔缺陷形成 能低许多，只有在结构很松、 离子半径很小的情况下才易形成弗仑克尔缺陷，如 AgCl 晶体易生成间隙离子Agi *
热缺陷的运动产生和复合 一方面，由于格点上的原子的热振动脱离格点，产生 热缺陷；另一方面，由于相互作用，热缺陷消失。 如：填隙原子运动到空位附近，最后落入到空位里而 复合掉。 晶格中原子扩散现象本质 通过热缺陷不断产生和复合的过程，晶格中的原子就可 不断的由一处向另一处作无规则的布朗运动。 如：空位的无规则运动是空位周围的原子由于热振动能 量起伏，会获得足够的能量，跳到空位上，占据这个格 点，而在原来的位置上出现空位。空位运动实质上是原 子的跳动
热缺陷的运动产生和复合 一方面，由于格点上的原子的热振动脱离格点，产生 热缺陷；另一方面，由于相互作用，热缺陷消失。 如：填隙原子运动到空位附近，最后落入到空位里而 复合掉。 通过热缺陷不断产生和复合的过程，晶格中的原子就可 不断的由一处向另一处作无规则的布朗运动。 如：空位的无规则运动是空位周围的原子由于热振动能 量起伏，会获得足够的能量，跳到空位上，占据这个格 点，而在原来的位置上出现空位。空位运动实质上是原 子的跳动。 晶格中原子扩散现象本质
表6.4碱金属卤化物晶体内的作用能 eV 作用能 NaCl KCI KBr 离解正离子的能量 4.62 4.47 4.23 离解负离子的能量 5.18 4.79 4.60 一一对离子的晶格能 7.94 7.18 6.91 阴离子空位扩散能 0.56 一 一 阳离子空位扩散能 0.51 填隙离子的扩散能 2.90 一对离子的扩散能 0.38 0.44 杂质离子载流子的浓度决定于杂质的数量和种类。 因为杂质离子的存在，不仅增加了电流载体数，而且使 点阵发生畸变，杂质离子离解活化能变小。和固有电导 不同，低温下，离子晶体的电导主要由杂质载流子浓度 决定
杂质离子载流子的浓度决定于杂质的数量和种类。 因为杂质离子的存在，不仅增加了电流载体数，而且使 点阵发生畸变，杂质离子离解活化能变小。和固有电导 不同，低温下，离子晶体的电导主要由杂质载流子浓度 决定
二.离子迁移率 间隙离子处于间隙位置时，受周围离子的作用，处于 一定的平衡位置（半稳定位置）。它从一个间隙位置 跃入相邻原子的间隙位置，需克服一个高度为U。的 “势垒”。完成一次跃迁，又处于新的平衡位置上。 位置x 图6.19间隙离子的势垒
间隙离子处于间隙位置时，受周围离子的作用，处于 一定的平衡位置（半稳定位置）。它从一个间隙位置 跃入相邻原子的间隙位置，需克服一个高度为 的 “势垒” 。完成一次跃迁，又处于新的平衡位置上。 二.离子迁移率 U0