1.22ⅨN结和晶体二极管的伏安特性与小信号等效模型 在PN结上加欧姆接触电极引出管脚便构成晶体二极管 欧姆接触:通过隧道效应,消除金属半导体势垒的接触方式 1221单向导电性 概念:正向偏置形成电流较大,反向偏置形成电流很小。 PN结加上正向电压、正向偏置的意思都是:P区加正、N 区加负电压。 PN结加上反向电压、反向偏置的意思都是:P区加负、N 区加正电压
1.2.2 PN结和晶体二极管的伏安特性与小信号等效模型 在PN结上加欧姆接触电极引出管脚便构成晶体二极管 欧姆接触：通过隧道效应，消除金属半导体势垒的接触方式 1.2.2.1 单向导电性 PN 结加上正向电压、正向偏置的意思都是： P区加正、N 区加负电压。 PN 结加上反向电压、反向偏置的意思都是： P区加负、N 区加正电压。 概念：正向偏置形成电流较大，反向偏置形成电流很小
二极管基本结构: PN结加上管壳和引线,就成为半导体二极管。 触丝线)点接触型 正极引线 铝合金小球 P型硅 N型徒 金锑合金 底座 引线[外壳」[基片 负极引线 面接触型 P 二极管的电路符号:
二极管基本结构： PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 引线 外壳 触丝线 基片 点接触型 面接触型 P N 二极管的电路符号：
PN结正向偏置: 变薄 内电场被削弱,多子的 扩散加强能够形成较大 的扩散电流。 内电场 外电场 R E
－ － － － + + + + R E PN 结正向偏置： 内电场 外电场 变薄 P N + _ 内电场被削弱，多子的 扩散加强能够形成较大 的扩散电流
PN结反向偏置: 变厚 内电场被被加强,多子 的扩散受抑制。少子漂 移加强,但少子数量有 限,只能形成较小的反 向电流。 内电场 R 外电场 E
PN 结反向偏置： － － － － + + + + 内电场 变厚 P N + _ 内电场被被加强，多子 的扩散受抑制。少子漂 移加强，但少子数量有 限，只能形成较小的反 向电流。 R 外电场 E
1222伏安特性 伏安特性指流过二极管的电流与二极管两端电压之间 的关系式或曲线。 二极管理想伏安特性可用PN结的电流方程来表示: ip=l(exp-1) 式中:iD表示流过二极管的电流; D表示二极管两端的电压,正向偏置为正; 表示反向饱和电流(硅:109~10-15A)
1.2.2.2 伏安特性 伏安特性指流过二极管的电流与二极管两端电压之间 的关系式或曲线。 二极管理想伏安特性可用PN结的电流方程来表示： = (exp −1) T D D s V v i I 式中：iD 表示流过二极管的电流； vD 表示二极管两端的电压，正向偏置为正； Is 表示反向饱和电流（硅：10-9～10-15A）