电子技术 2312ROM的工作原理 dianzI 地址译码器 一存储矩阵 +U导通 Wol 导通 ei w, 0”A0 <字线长 AaJA 0 位线D3DD1D 0A1 读出电路 地址输入一 0101 总目剥章目录返回止上一页下
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 1 1 A0 A1 字线 位线 读出电路 地址译码器 存储矩阵 地址输入 W0 W1 W2 W3 D3 D2 D1 D0 A1 A0 +U A0 A1 “0” “0” 0 0 0 1 0 1 0 1
电子技术 2312ROM的工作原理 dianzI 存储矩阵是一个“或”逻辑阵列 Do=Wo+wI D,=W1+W2 D=Wott d=ntw 有二极管 地 MI 无二极管 译 码 器3=A D, d 2 D 1 D 图23.13简化的ROM存储矩阵阵列图 总目剥章目录返回止上一页下
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 D0 W0 W1 D1 W1 W3 D2 W0 W2 W3 D3 W1 W3 W3=A1A0 m3 m2 W2=A1A0 m1 W1=A1A0 m0 W0=A1A0 A0 A1 地 址 译 码 器 D3 D2 D1 D0
电子技术 2.双极型晶体管和MOs场效应管构成的存储矩陣 +U DD 0 存“1 W Wo 存“0 D D 0 图23.1.4双极型存储矩阵 目章目剥返回上一页下
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 D3 D2 D1 D0 W2 W1 W0 +UDD W3
2.双极型晶体管和MOS场效应管构成的存储短柔 选中 +U 导通 0 0”W3 D D 临目剥像自返回上二页下
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 “1” “0” “0” “0” 1 1 0 1 D3 D2 D1 D0 W2 W1 W0 +UDD W3
电子技术 子负载管 +U DD dia 选中 N导通 0”W1 0 W “0” 3 2 图23.15MOS型存储矩阵 总目剥章目剥返回上一页下页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 1 D3 1 D2 1 D1 1 D0 W0 W1 W2 W3 负载管 +UDD “1” “0” “0” “0” 0 0 1 0 1 1 0 1