1对于辐射光子能量使固体样品原子内层电子激发为光电子，h=E,+,+E,+A电子结合能E,是指电子由原来所处能级(E)跃迁至费米能级(E)所需的能量，即E,=Ef-Ey实际测试时，样品与谱仪相连(置于谱仪样品架上），两者具有良好电接触，则费米能级相等
6 l 对于辐射光子能量使固体样品原子内层电 子激发为光电子， h =Eb+ s +Ek+A ÿ 电子结合能Eb是指电子由原来所处能级(Ei ) 跃迁至费米能级(EF )所需的能量，即 Eb =EF -Ei ÿ 实际测试时，样品与谱仪相连(置于谱仪样 品架上)，两者具有良好电接触，则费米能 级相等
E'以药真空能级真空能级西=小田E=寻帮RhuE=价带E芯层能级芯层能级皱谱仪谱仪样品样品(b)(a)图2-7固体样品与谱仪的能量关系(a)导体(样品)；(b)非导体(样品）
7 图2-7 固体样品与谱仪的能量关系 (a)导体(样品)；(b)非导体(样品)
由于谱仪(样品架材料)功函数与样品功函数一?不同，将使由谱仪测量的光电子动能E,与Y样品发射的光电子动能E,不同，有E,+=E□+kKsaspI设A=0，有h=E,+E+sp1或E,=h-Ek-sp若已知谱仪功函数口（当样品与谱仪接触良好时为一定值，约为4eV)和入射光电子能量hv，并由谱仪测得光电子动能量E口，即可求得样品中该电子结合能E
8 l 由于谱仪(样品架材料)功函数 sp与样品功函数 sa不同，将使由谱仪测量的光电子动能E k与 样品发射的光电子动能Ek不同，有 Ek + sa =E k + sp l 设A＝0，有 h =Eb +E k + sp l 或 Eb =h -E k - sp l 若已知谱仪功函数 sp(当样品与谱仪接触良好时， sp为一定值，约为4eV)和入射光电子能量hv， 并由谱仪测得光电子动能量E k，即可求得样品 中该电子结合能Eb
4.1.2.光电子能谱图即光电子产额(光电子强度)对光电子动能或电子结合能的分布（图），光电子产额通常由检测器计数或计数率(单位时间的平均计数)表示。Ag3D(K.1.2)3D3Ds23Ps/23DK伴峰ARMNN俄歌蜂4S4Fs060010004008001.200200ElevAg的光电子能谱图（MgK口激发）
9 4.1.2.光电子能谱图 l 即光电子产额(光电子强度)对光电子动能或电子结合 能的分布(图)，光电子产额通常由检测器计数或计数 率(单位时间的平均计数)表示。 Ag的光电子能谱图（MgK 激发）
光电子能谱谱线(谱峰)以被激出电子原来所在能级命名，3S、3P/2、3P/等为Ag之M层电子激出形成的光电子谱线（峰）。1光电子能谱图中表征样品电子结合能的一系列光电子谱峰称为主峰或特征峰。能谱图中还存在非光电子峰，称之为伴峰。伴峰有俄歇电子峰、多重态分裂峰等，在谱图分析时，应加以辨认。1O
10 l 光电子能谱谱线(谱峰)以被激出电子原来 所在能级命名，3S、3P1/2、3P3/2等为Ag之M 层电子激出形成的光电子谱线(峰)。 l 光电子能谱图中表征样品电子结合能的一 系列光电子谱峰称为主峰或特征峰。能谱 图中还存在非光电子峰，称之为伴峰。伴 峰有俄歇电子峰、多重态分裂峰等，在谱 图分析时，应加以辨认