3、p-n结的形成 型 由于n区的电子向p区扩散, 8/8 p区的空穴向p区扩散,在p E 阻 型半导体和m型半导体的交 界面附近产生了一个电场, A⊕ e 称为内电场。 n结
3、p-n结的形成 由于n区的电子向p区扩散， p区的空穴向p区扩散，在p 型半导体和n型半导体的交 界面附近产生了一个电场 , 称为内电场。 p-n结 E阻 p型 n型 U0
导带 a)本 带 去喜去 满带 区 区 eU (b) p区 n区
导带 禁带 满带 • • • • p区 n区 0 eU • • • • • • • • • p区 n区 • • • • ( a ) ( b )
p-n结的单向导电性 E p型1+n型 在p-m结的p型区接电源 I 正极,n区接负极 阻 阻挡层势垒被削弱 I(毫安) 变窄,有利于空穴向 n区运动,电子向区 运动,形成正向电流。 U(伏)
p-n结的单向导电性 在p-n结的p型区接电源 正极，n区接负极 阻挡层势垒被削弱、 变窄，有利于空穴向 n区运动，电子向p区 运动，形成正向电流。 E p型 n型 I E阻 U（伏） I （毫安） O
在p-m结的型区接电 I「p型 冷 n IE 源负极,n区接正极 阻 阻挡层势垒增大、变 I(微安) 宽,不利于空穴向n区 运动,也不利于电子 U(伏) 向区运动
在p-n结的p型区接电 源负极，n区接正极。 阻挡层势垒增大、变 宽，不利于空穴向n区 运动，也不利于电子 向p区运动。 U(伏) I（微安） E p型 n型 E阻 I
半导体的其他特征和应用 热敏电阻 半导体的电阻随温度的升高而指数下降, 导电性能随变化十分灵敏。 热敏电阻体积小、热惯性小、寿命长 光敏电阻 在可见光照射下,半导体硒的电阻随光强增加而急 剧减小,但要求照射光的频率大于红限频率
4、半导体的其他特征和应用 热敏电阻 半导体的电阻随温度的升高而指数下降， 导电性能随变化十分灵敏。 热敏电阻体积小、热惯性小、寿命长 光敏电阻 在可见光照射下，半导体硒的电阻随光强增加而急 剧减小，但要求照射光的频率大于红限频率