CC(+5V) Ucd(+5v) R 体 4k9 R A D← R F T B D U U 与门R1 非门 Rz D T B R
+ 3晶体管与非门
4.2.2TTL与非门电路 U oUc(+5v) R R R D D F T B A 输入输出 输入输出 A B A F 输入与输出电位 0.2V0.2V5V 02V5V 5∨ 5V0.2V5V 电路的真值表 0—0 B010 5V5V0.2V 0
4.2.2 TTL与非门电路 输入 输出 A B F 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 输入 输出 A B F 0.2V 0.2V 5V 0.2V 5V 5V 5V 0.2V 5V 5V 5V 0.2V 输 入 与 输 出 电 位 电 路 的 真 值 表
■晶体管的结构示意图及电路符号 C了集电极 (a)Schema costruttivo 2E2 Al Al N集电结 C B (b) struttura di principio P tipopCollettore tipo n Collettore tipo Base tipo p Base 题发射结 tipo p Emettitore Emettitore pnp npn (c)Simbolo circuital Collettore Collettore Base Base Fr。++计。 Emettitore EO发射极 @Microsoft Corporation Tutti i diritti riservati
◼晶体管的结构示意图及电路符号 C 集电极 B E 发射极 P 集电结 发射结 N N
R. 150 2ko -120pA 12.5 100 40k(2 h 75 60HA 5.0 5V: llz 30μA 2.5 2.5 5.3 106 160 uct
MOS场效应管 aP型硅片作衬底,表面制作两个N型区,引出源极(s) 和漏极(),覆盖一层SO2,在漏源之间绝缘层上再 制作一层金属铝,引出栅极(g) 金属-氧化物半导体场效应管( Metal-Oxide- semiconductor) Gate connection Source Drain connecton connec ton Oxide Metal gate 电路符号 d n m p-type S Substrate connection
MOS场效应管 ◼P型硅片作衬底，表面制作两个N型区，引出源极(s) 和漏极(d)，覆盖一层SiO2，在漏源之间绝缘层上再 制作一层金属铝，引出栅极(g) 。 金属-氧化物-半导体场效应管（Metal-Oxide-semiconductor) 电路符号 g d s