二光电池特性 1.光谱特性 响应波段 峰值响应波长 应用 (nm) (nm) 硒光电池 400≈700 540 可见光波段 硅光电池 400~1100 800~900 可见光 近红外波段 蓝硅光电池 600 16
16 二 光电池特性 1. 光谱特性 响应波段 (nm) 峰值响应波长 (nm) 应用 硒光电池 400～700 540 可见光波段 硅光电池 400 ~1100 800～900 可见光 近红外波段 蓝硅光电池 600
二 光电池特性 1.光谱特性 硒光电池 硅光电池 1.0 相对响应率 0.8 0.6 0.4 0.2 波长(um) 200400 60080010001200 光电池光谱特性曲线 17
17 二 光电池特性 1. 光谱特性 200 400 600 800 1000 1200 0.2 0 0.4 0.6 0.8 1.0 相 硒光电池 硅光电池 对 响 应 率 波长(um) 光电池光谱特性曲线
二 光电池特性 2. 伏安特性 短路电流：在一定光功率照射下将光电池两端用一低内阻电流表短接， 所测得的电流值。 开路电压：在一定光功率照射下将光电池两端开路，用一高内阻电 压表所测电压值。 光电池 电路符号 光电池的基本电路 光电池的等效电路 18
18 RL 光电池 电路符号 开路电压：在一定光功率照射下将光电池两端开路，用一高内阻电 压表所测电压值。 光电池的基本电路 短路电流：在一定光功率照射下将光电池两端用一低内阻电流表短接， 所测得的电流值。 二 光电池特性 2. 伏安特性 V Ip ID Cj Rsh Ish RL Rs 光电池的等效电路
二光电池特性 2.伏安特性 短路电流 理想条件： R,→0，Rh→o0 Isc =Ip ev 实际： 1c=1p-I,(er-0- kT 开路电压 V In( e I 光电池的等效电路 19
19 V Ip ID Cj Rsh Ish RL Rs 光电池的等效电路 二 光电池特性 2. 伏安特性 短路电流 理想条件： s ,0 RR sh →→ ∞ PSC = II 实际： sh kT eV sPSC R V eIII )1( −−−= 开路电压 ln( + )1 − = s shp oc I II e kT V
二 光电池特性 2. 伏安特性 I(mA) 0.6 P1(1000x) 0.5 P2 0.4 P3 0.3 光电池的基本电路 P 0.2 P>P>P>P>Ps 0. U(mV) R1<R2<R3 硅光电池的输出特性 20
20 二 光电池特性 2. 伏安特性 R L 光电池的基本电路 U(mV) I(mA) 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 P 1(1000lx) P 2 P 3 P 4 P 5 RL1 RL2 RL3 硅光电池的输出特性 >>>> PPPPP 54321 < < RRR LLL 321