152PN结 电子披术 1521PN结的形成 内电场越强,漂移运 空间电荷区也称PN结 动越强,而漂移使空间 少子的漂移运动(电荷区变薄。 P型半导体内电场型半导体 99999⑨中扩散和漂移 Q急99④④中这一对相反的 Q③dA④团 运动最终达到 动态平衡,空 199999甲甲间电荷区的厚 度固定不变。 浓度差多子的扩散运动 形成空间电荷区 扩散的结果使 空间电荷区变宽。 总目录章目录返回一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 15.2 PN结 15.2.1 PN结的形成 多子的扩散运动 内电场 少子的漂移运动 浓度差 P 型半导体 N 型半导体 内电场越强，漂移运 动越强，而漂移使空间 电荷区变薄。 扩散的结果使 空间电荷区变宽。 空间电荷区也称 PN 结 扩散和漂移 这一对相反的 运动最终达到 动态平衡，空 间电荷区的厚 度固定不变。 － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + － － － － － － － 动画 － 形成空间电荷区
电子披术 1522PN结的单向导电性 dian 1.PN结加正向电压(正向偏置)P接正、N接负 PN结变窄 ooooglobc 999eg9中④中 内电场被 削弱,多子 的扩散加强, 内电场N 形成较大的 一→外电场 扩散电流。 F PN结加正向电压时,PN结变窄,正向电流较 大,正向电阻较小,PN结处于导通状态。 总目录章目录返回一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 15.2.2 PN结的单向导电性 1. PN 结加正向电压（正向偏置） PN 结变窄 P接正、N接负 I 外电场 F 内电场被 削弱，多子 的扩散加强， 形成较大的 扩散电流。 PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较 大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。 P 内电场 N － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + 动画 + –
子敏求 2PN结加反向电压(反向偏置)P接负、N接正 9999⊕中中中 9QQ9⊙④④中 99Q9中中 内电场 外电场 总目录章目录返回一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 外电场 P接负、N接正 P 内电场 N + + + － － － － － － + + + + + + + + + － － － － － － － － － + + + + + + － － － 动画 – +
子敏求 2PN结加反向电压(反向偏置)P接负、N接正 PN结变宽 ⊙9999④④④⊕④|动画 内电场被加 ee4④④④④ 强,少子的漂 99g⊙9④;更移加强,由于 少子数量很少, 内电场 外电场 形成很小的反 R 向电流。 PN结加反向电压时,PN结变宽,反向电流较小, 反向电阻较大,PN结处于截止状态。 温度越高少子的数目越多,反向电流将随温度增加。 总目录章目录返回一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 PN 结变宽 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 外电场 内电场被加 强，少子的漂 移加强，由于 少子数量很少， 形成很小的反 IR 向电流。 P接负、N接正 温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。 动画 – + PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小， 反向电阻较大，PN结处于截止状态。 P 内电场 N + + + － － － － － － + + + + + + + + + － － － － － － － － － + + + + + + － － －
电子披术 153半导体二极管 dianzi 令令令令令令争令令令令争令争争令争令令令令命争令令争令争令 1531基本结构 (a)点接触型 (b)面接触型 结面积小、由结面积大、 结电容小、正 正向电流大、 向电流小。用 结电容大,用 于检波和变频 于工频大电流 等高频电路。 整流电路。 (c)平面型 用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可 小,用于高频整流和开关电路中。 总目录章目录返回一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 15.3 半导体二极管 15.3.1 基本结构 (a) 点接触型 (b)面接触型 结面积小、 结电容小、正 向电流小。用 于检波和变频 等高频电路。 结面积大、 正向电流大、 结电容大，用 于工频大电流 整流电路。 (c) 平面型 用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可 小，用于高频整流和开关电路中