二、P型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素,如硼 (或铟),晶体点阵中的某些半导体原子被杂质 取代,硼原子的最外层有三个价电子,与相邻的 半导体原子形成共价键时,空穴是 立生一个空穴。这个空穴 +4 +4 可能吸引束缚电子来填补, 使得硼原子成为不能移动 的带负电的离子。由于硼 (+3 原子接受电子,所以称为 受主原子 硼原子了 P型半导体中空穴是多子,电子是少子。 (1-16
(1-16) 二、P 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼 （或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质 取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的 半导体原子形成共价键时， 产生一个空穴。这个空穴 可能吸引束缚电子来填补， 使得硼原子成为不能移动 的带负电的离子。由于硼 原子接受电子，所以称为 受主原子。 +4 +4 +3 +4 空穴 硼原子 P 型半导体中空穴是多子，电子是少子
、杂质半导体的示意表示法 Q99999⑨⑨零 P型半导体 N型半导体 杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。 但由于数量的关系,起导电作用的主要是多子。 近似认为多子与杂质浓度相等
(1-17) 三、杂质半导体的示意表示法 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P 型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N 型半导体 杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。 但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。 近似认为多子与杂质浓度相等
§1.2PN结及半号体二极管 2.1.1PN结的形成 在同一片半导体基片上,分别制造P型半导 体和N型半导体,经过载流子的扩散,在它们的 交界面处就形成了PN结。 1-18
(1-18) 2.1.1 PN 结的形成 在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导 体和N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的 交界面处就形成了PN 结。 §1.2 PN结及半导体二极管
内电场越强,就使漂移 运动越强,而漂移使空 间电荷区变薄。 漂移运动 P型半导体 内电场EN型半导体 ⊙e/ 99999④⊕⑨守 空间电荷区, 扩散的结果是使空间电 也称耗尽层。 扩散运动荷区逐渐加宽,空间电 荷区越宽。 1-19)
(1-19) P型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场E 漂移运动 扩散的结果是使空间电 荷区逐渐加宽，空间电 荷区越宽。 内电场越强，就使漂移 运动越强，而漂移使空 间电荷区变薄。 空间电荷区， 也称耗尽层
漂移运动 P型半导体 N型半导体 内电场E 99999④9⑨⑨q ③③ 999999⑨q Q99900000 所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡, 相当于两个区之间没有电荷运动,空间电荷区的厚 度固定不变。 (1-20)
(1-20) 漂移运动 P型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场E 所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡， 相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚 度固定不变