2PROM(可编程ROM PRoM只能写一次,一旦写入就不能修改(OTP型 κ基本结构同掩模RoM,由存储矩阵、地址译码和输出电路组成。 κ出厂时在存储矩阵地所有交叉点上都做有存储单元,一般存1。 ☆存数方法:熔丝法和击穿法。 Vcc 熔丝法圄示 字线 b c 熔丝 位线 加高电压将熔丝化断, 即可将原有的1改写为0
2 PROM(可编程ROM) ☆ PROM只能写一次，一旦写入就不能修改（OTP型）。 ☆基本结构同掩模ROM，由存储矩阵、地址译码和输出电路组成。 ☆出厂时在存储矩阵地所有交叉点上都做有存储单元，一般存1。 ☆存数方法：熔丝法和击穿法。 熔丝法图示 e 熔丝 b c Vcc 字线 位线 加高电压将熔丝化断， 即可将原有的1改写为0
3 EPROM、E2PROM、 FLASH ROM EPROM:光擦除可编程ROM ☆紫外线照射擦除,时间长10~20分钟 ☆整片擦除 ☆写入一般需要专门的工具 E2PROM:电擦除可编程ROM ☆电擦除,一般芯片内部带有升压电路,可以直接 读写 EEPROM, ☆擦除时间短(ms级),可对单个存储单元擦除。 读出:5v;擦除:20V;写入:20V。 FLASH ROM:电擦除可编程ROM 太结合 EPROM和 EEPROM的特点,构成的电路形 式简 单,集成度高,可靠性好。 ☆擦除时间短(μs级),整片擦除、或分块擦除。 声出:5V;写入:12V;擦除:12V警买察除)
3 EPROM、E 2PROM、FLASH ROM ☆电擦除，一般芯片内部带有升压电路，可以直接 读写EEPROM， ☆擦除时间短(ms级)，可对单个存储单元擦除。 ☆读出：5V；擦除：20V；写入：20V。 EPROM：光擦除可编程ROM E 2PROM：电擦除可编程ROM FLASH ROM：电擦除可编程ROM ☆紫外线照射擦除，时间长10～20分钟 ☆整片擦除 ☆写入一般需要专门的工具 ☆结合EPROM和EEPROM的特点，构成的电路形 式简 单，集成度高，可靠性好。 ☆ 擦除时间短(μs级)，整片擦除、或分块擦除。 ☆ 读出：5V；写入：12V；擦除：12V(整块擦除)