JFET特点 综上分析,可得下述结论: 1.JFET栅极、沟道之间的PN结是反向偏置的,电阻 很高。 2.JFET是电压控制电流器件,i受vGs控制。 3.预夹断前,与v呈近似线性关系,预夹断后, iD趋于饱和
JFET特点 ❖ 综上分析，可得下述结论： 1. JFET栅极、沟道之间的PN结是反向偏置的，电阻 很高。 2. JFET是电压控制电流器件， iD受 vGS 控制。 3. 预夹断前， iD与vDS呈近似线性关系，预夹断后， iD趋于饱和。 11
JFET的特性曲线 1.输出特性 厂ET的输出特性是指在栅源电压vs-定的情况下 漏极电流与漏源电压vDs之间的关系,即 D Ds人=常数i/mA颜夹断轨迹 0!区n=tes,s=Vp I区 N沟通JFET的输出 UCs=O V 特性。JFET的工 06 作情况可分为三个 预夹断点 04 04 区域。 B 02 →08 01216
JFET的特性曲线 1．输出特性 ❖ JFET的输出特性是指在栅源电压vGS一定的情况下， 漏极电流iD与漏源电压vDS之间的关系，即 12 i D = f (vDS ) v GS =常数 N沟通JFET的输出 特性。 JFET的工 作情况可分为三个 区域
JFET的特性曲线 冷在区内,栅源电压愈负,输出特性愈倾斜,漏源间 的等效电阻愈大。因此,在区中,FET可看作一个 受栅源电压v控制的可变电阻,故得名为可变电阻 ☆Ⅲ区称为饱和区或恒流区,FET用作放大电路时, 般就工作在这个区域,称为线性放大区 Ⅲ区的特点是,当vs增至一定的数值,由于加到沟 道中耗尽层的电压太高,电场很强,致使栅漏间的 PN结发生雪崩击穿,i迅速上升,称为击穿区。进 入雪崩击穿后,管子不能正常工作,甚至很快烧毁。 所以,FET不允许工作在这个区域 当vGs<v时,i=0称为截止区(夹断区)
JFET的特性曲线 ❖ 在I区内，栅源电压愈负，输出特性愈倾斜，漏源间 的等效电阻愈大。因此，在I区中，FET可看作一个 受栅源电压vGS控制的可变电阻，故得名为可变电阻 区。 ❖ II区称为饱和区或恒流区，FET用作放大电路时，一 般就工作在这个区域，称为线性放大区。 ❖ III区的特点是，当vDS增至一定的数值，由于加到沟 道中耗尽层的电压太高，电场很强，致使栅漏间的 PN结发生雪崩击穿， iD迅速上升，称为击穿区。进 入雪崩击穿后，管子不能正常工作，甚至很快烧毁。 所以，FET不允许工作在这个区域。 ❖ 当vGS ＜vP时， iD=0称为截止区（夹断区）。 13
ZD/mA可变电阻区 可变电阻区 击穿区 GS=0 特点 恒流区 (1)当v为定值时是 2 vDs的线性函数,管子的漏 源间呈现为线性电阻,且 -3V 夹断区 其阻值受v∞控制。 4V DS 0 4812162024 (2)管压降v很小。 条件:源端与漏端沟道 都不夹断 用途:做压控线性电阻和无触 点的、闭合状态的电子开关。 DS GS
可变电阻区 14 特点: (1)当vGS为定值时,iD是 v DS的线性函数，管子的漏 源间呈现为线性电阻，且 其阻值受v GS控制。 （2）管压降vDS很小。 用途：做压控线性电阻和无触 点的、闭合状态的电子开关。 条件：源端与漏端沟道 都不夹断 V GS V P V DS V GS V P −
夹断区 zD/mA可变电阻区 击穿区 特点: 0 GS =0 用途:做无触点的、接通状 恒流区 态的电子开关。 2V 3 条件:整个沟道都夹断 2 二央断区 DS 4812162024 击穿区 当漏源电压增大到=L时,漏端PN结发生雪崩 击穿,使b剧增的区域。其值一般为(20—50)V之间。 由于Vcp=VGs-Ws故v越负,对应的v就越小。管子不 能在击穿区工作
夹断区 15 用途：做无触点的、接通状 态的电子开关。 条件：整个沟道都夹断 V GS V P 击穿区 当漏源电压增大到 V DS =V( BR ) DS 时，漏端PN结发生雪崩 击穿，使iD 剧增的区域。其值一般为（20— 50）V之间。 由于VGD=VGS-VDS, 故vGS越负，对应的VP就越小。管子不 能在击穿区工作。 特点： iD 0