公 ③采用命令方式可以使闪存进入各种不同的工作 方式,例如整片擦除、按页擦除、整片编程、分页 编程、字节编程、进入备用方式、读识别码等; ④可进行在线擦除与编程,擦除和编程写入均无 需把芯片取下; ⑤某些产品可自行产生编程电压(VPP),因而只能 用VGC供电,在通常的工作状态下,即可实现编程 操作; ⑥可实现很高的信息存储密度
③ 采用命令方式可以使闪存进入各种不同的工作 方式，例如整片擦除、按页擦除、整片编程、分页 编程、字节编程、进入备用方式、读识别码等； ④ 可进行在线擦除与编程，擦除和编程写入均无 需把芯片取下； ⑤ 某些产品可自行产生编程电压(VPP)，因而只能 用VCC供电，在通常的工作状态下，即可实现编程 操作； ⑥ 可实现很高的信息存储密度
公 2)闪存的单元电路结构 ·若浮空栅上保存有电荷,则在源(S)、漏(D)极之 间形成导电沟道,达到一种稳定状态,可以定义 该基本存储单元电路保存信息“0; 若浮空栅上没有电荷存在,则在涼、漏之间无法 形成导电沟道,为另一种稳定状态,可以定义它 保存信息“1
2) 闪存的单元电路结构 • 若浮空栅上保存有电荷，则在源(S)、漏(D)极之 间形成导电沟道，达到一种稳定状态，可以定义 该基本存储单元电路保存信息“0”； • 若浮空栅上没有电荷存在，则在源、漏之间无法 形成导电沟道，为另一种稳定状态，可以定义它 保存信息“1
公 图152闪存的基本存储单元电路 位线 位线 位线 字线 CG 字线 控制栅CG 溉线匚浮空栅F」线 字线 s n n d 字线 P称底 字线 (a)电路结构及逻辑符号 源线 源线 源线 (b)存储阵列
图15.2 闪存的基本存储单元电路 (a)电路结构及逻辑符号 (b)存储阵列
公 图153闪存的擦除与编程 CG 控制栅0VcG「二 (g=OV) 浮空栅)FG 源极s12 漏极D FG(s=12) P称底 CG 12V (a)擦除:从浮空栅移走电荷 FG eee SOV P称底 (b)编程:向浮空栅增加电荷
图15.3 闪存的擦除与编程 (a)擦除：从浮空栅移走电荷 (b)编程：向浮空栅增加电荷