《微机原理A》 第十五讲:存储器及其接口(二) 主讲老师:王克义
《微机原理A》 第十五讲：存储器及其接口（二） 主讲老师：王克义
公 本讲主要内容 只读存储器RoM 存储器接口技术
本讲主要内容 • 只读存储器ROM • 存储器接口技术
公 151只读存储器RoM (1)掩模式ROM( Masked rom) (2)可编程只读存储器PROM( Programmable ROm) (3)可擦除可编程只读存储器 EPROM( Erasable PROM) EPROM的基本存储单元 EPROM基本存储单元大多采用浮栅MOS管 (F| oating gate Avalanche injection MOS,简记 为 FAMOS管,浮栅雪崩注入MOS管)。 FAM○S管有P沟和N沟两种,P沟浮栅MOS管 EPROM基本存储电路如图151所示
15.1 只读存储器ROM (1) 掩模式ROM(Masked ROM) (2) 可编程只读存储器PROM(Programmable ROM) (3) 可擦除可编程只读存储器EPROM(Erasable PROM) • EPROM的基本存储单元 • EPROM基本存储单元大多采用浮栅MOS管 (Floating gate Avalanche injection MOS，简记 为FAMOS管，浮栅雪崩注入MOS管)。 • FAMOS管有P沟和N沟两种，P沟浮栅MOS管 EPROM基本存储电路如图15.1所示
公 图15.1P沟道浮栅MoS管 EPROM的存储电路 Vcc S(源 So2浮栅(漏极) 线 位线输出 +++P+ N衬底 浮栅管 S 位线
图15.1 P沟道浮栅MOS管EPROM的存储电路 N衬底 P+ + + + P+ S(源极) SiO2 浮栅 D(漏极) D S Vcc 位 线 输 出 位线 浮栅管 行线
公 EPROM芯片上方有一个石英玻璃窗口,当用 定波长(如2537A)一定光强(如12000pwcm2) 的紫外线透过窗口照射时,所有存储电路中浮栅 上的电荷会形成光电流泄放掉,使浮栅恢复初态 般照射20~30分钟后,读出各单元的内容均为 FFH,说明 EPROM中内容已被擦除
• EPROM芯片上方有一个石英玻璃窗口，当用一 定波长(如2537 A)一定光强(如12000 μw/cm２） 的紫外线透过窗口照射时，所有存储电路中浮栅 上的电荷会形成光电流泄放掉，使浮栅恢复初态。 • 一般照射20～30分钟后，读出各单元的内容均为 FFH，说明EPROM中内容已被擦除