掺杂浓度 7/2 2 向两边扩散的 空间电荷区 介电常数 「2.N /2 N.(EN+eN) 总的空间电荷区宽度 /2 2E2(NA ND.)2Vo d=xN -Xp= eNA ND.(E NA,+E2ND, 两边内建电场之比 Np.E2 NAE
向两边扩散的 空间电荷区 总的空间电荷区宽度 两边内建电场之比 掺杂浓度 介电常数
空间电荷区电中性条件VA,x=ND, eNA ND.E (NA +ND.) 7/2 结电容C=品e- 2(ENA.+E2ND.)VD 无外压， 静电流为零 44m普】 正偏时J=A,exp[-e(Wo,-'2)/k.T]-Aexp{-[AEc-e(,-)/k,T]} =4 exp(-eVp./kgT)[exp(ev2/kpT)-exp(-ev/kgT)] 正偏时，I-V特性 J=Aexp(-eVD./kgT)[exp(ev2/kgT)-exp(-ev/kgT)] 在上述的表达式中，第一项在正向偏压时起主要作用，第二项在反向偏压下起 主要作用。无论是正向偏压还是反向偏压下，pN突变异质结的V-I特性都呈指数 关系，这同同质pn结的情形是完全不同的
空间电荷区电中性条件 结电容 无外压， 静电流为零 正偏时 正偏时，I-V特性 在上述J的表达式中，第一项在正向偏压时起主要作用，第二项在反向偏压下起 主要作用。无论是正向偏压还是反向偏压下，pN突变异质结的V-I特性都呈指数 关系，这同同质pn结的情形是完全不同的
4、突变同型（nN)异质结能带图 真空能级 V。真空能级 △Ec E Ee2 F2 F F △E、 Ev2 △E, (a)形成结前能带 (b)形成结后能带
4、突变同型（nN）异质结能带图