《数字电子技术基础》第五版 举例 R A-K 处地 B-K ED- 码 器 Ao 上 输出缓冲器 A 存储矩阵 B— D D 大
《数字电子技术基础 》第五版 二、举例
《数字电子技术基础》第五版 AO-An-1 与”项 DO 地址译码器 与”阵列 或”阵列:输出 I2n. Dm wol W, w2 W3 输出缓冲器 「地址」数据」 A1 Ao D3D2D1Do 存 00o 01 储+W D2 D 100 oo D 0 大
《数字电子技术基础》第五版 地 址 数 据 A1 A0 D3 D2 D1 D0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 A0~An-1 W0 W(2n-1) D0 Dm
《数字电子技术基础》第五版 两个概念: ·存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”,存储单元 中有器件存入“1″,无器件存入“0 W wo w1l w2l Ws 输出缓冲器 H 坐 d2 D3 : DI 存储器的容量:“字数×位数” 大
《数字电子技术基础》第五版 两个概念： • 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元 中有器件存入“1”，无器件存入“0” • 存储器的容量：“字数 x 位数
《数字电子技术基础》第五版 掩模ROM的特点: 出厂时已经固定,不能更改,适合大量生产 简单,便宜,非易失性 Wol WW, 输出缓冲器 处「 D, D D2 W D Do 大
《数字电子技术基础》第五版 掩模ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产 简单，便宜，非易失性
《数字电子技术基础》第五版 7.22可编程ROM(PROM) 总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同 长卡卡长长长长 字 存 线 熔 丝 1储 长长长长卡长 位线 *熔丝由易熔合金制成 *出厂时,每个结点上都有 *编程时将不用的熔断 !!是一次性编程,不能改写 D, D6 Ds D4 D, D, D, Do 大
《数字电子技术基础》第五版 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 ！！ 是一次性编程，不能改写 编程时将不用的熔断 出厂时，每个结点上都有 熔丝由易熔合金制成