结构振幅 =4-∑f,e A =1 ·一个晶胞散射振幅A,即晶胞中全部电 子相干散射合成波振幅，与一个电子散射 波振幅Ae之比值. 50 11
结构振幅 • 一个晶胞散射振幅 Ac，即晶胞中全部电 子相干散射合成波振幅，与一个电子散射 波振幅 Ae之比值. n j i j e c hkl j f e A A F 1 rj 11
l5a2=fwr=[∑”/，s2rx+ky+, +[∑，sin2x,+y,+,)小 射线强度正比于振幅的平方，一个晶胞散射 强度/。与一个电子散射强度/。之间关系 1。=lF2I。 IFnk2决定晶胞散射强度， 即为结构因子，与 原子种类(f)、原子位置（月、晶胞中原子数(n) 和衍射晶面有关。 12
射线强度正比于振幅的平方，一个晶胞散射 强度Ic与一个电子散射强度Ie之间关系 |Fhkl| 2决定晶胞散射强度，即为结构因子，与 原子种类(f i )、原子位置(rj )、晶胞中原子数(n) 和衍射晶面有关。 c hkl e I F I 2 2 1 2 1 2 * sin 2 ( ) cos 2 ( ) n j j j j j n j hkl hkl hkl j j j j f hx k y lz F F F f hx k y lz 12
结构因子(structure factor)Fhk2 简单点阵中每个晶胞中只有一个原子，原 子的散射强度就是晶胞的散射强度 0 。 复杂点阵中每个晶胞中包含多个原子，原 子散射波之间周相差将引起波的干涉效应， 合成波被加强或减弱，甚至布拉格衍射也 会消失。 13
结构因子(structure factor)Fhkl 2 • 简单点阵中每个晶胞中只有一个原子，原 子的散射强度就是晶胞的散射强度。 • 复杂点阵中每个晶胞中包含多个原子，原 子散射波之间周相差将引起波的干涉效应， 合成波被加强或减弱，甚至布拉格衍射也 会消失。 13
结构因子的计算1 • 简单点阵 H2+K2+L2之比： -任意HKL 1:2:3:4:5:6:8:9:10:11:12:13:14:16:. ·体心点阵(A2 structure) -H+K+L=2n-1,× -H+K+L=2n,V F,2=FwFN=[∑”fcos2πa,+y+,)f H2+K2+L2之比： +[∑fsm2xx,+y+,) 2:4:6:8:10:12:14:16:18.… 14
结构因子的计算1 • 简单点阵 – 任意HKL • 体心点阵(A2 structure) – H+K+L=2n-1, – H+K+L=2n, 2 1 2 1 2 * sin 2 ( ) cos 2 ( ) n j j j j j n j hkl hkl hkl j j j j f hx k y lz F F F f hx k y lz 14 H2+K2+L2之比： 2: 4: 6: 8: 10: 12: 14: 16: 18… H2+K2+L2之比： 1: 2: 3: 4: 5: 6: 8: 9: 10: 11: 12: 13: 14: 16:…
Intensity 100 901 CsCl:Pm-3m a=0.431nm -10 0 10 40 50 70 80 90100110120 130 140 150 160 170 180 2-theta =1.9373A Cscl(Sim) Observed Reflections Intensity 1001 bcc-Fe:Im-3m 0 a=0.287nm 00 o -10 10 20 60 70 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 2-theta Fe (5im) Observed Reflections
15 CsCl: Pm-3m a=0.431nm bcc-Fe: Im-3m a=0.287 nm =1.9373 Å