第3章传感器3.3.2电阻应变式传感器L1.工作原理dLLLR=PAdRdLdAdpE,μ,pARLAp设则 dA / A = -2μ(dL/ L)泊松比A=r2u-——压阻系数dL/L=ε此外 dp/ p=αE(dL/ L)dRdL=(1+2μ+2E)=(1+2u+2E)8R1应变片的灵敏度dRdR/RdR/RSeS(1+2u)+2ERdL/L8
第3章 传感器 A L R = d A dA L dL R dR = − + (1 2 ) (1 2 E) L dL E R dR = + + = + + E dR R dL L dR R S = = = (1+ 2 ) + S R dR = 1. 工作原理 A E,, L dL = L 应变片的灵敏度 3.3.2 电阻应变式传感器 设 2 A = r 则 dA/ A = −2(dL/ L) 此外 d / = E(dL/ L) dL/ L = ——泊松比 ——压阻系数
第3章传感器金属应变片应变效应为主1+2μ>>ES~1+2μ（多在1.7~3.6之间）半导体应变片一压阻效应为主E>>1+2μS~E（多在60~150之间）但温度稳定性和半导体应变片的灵敏度高、体积小，重复性不如金属应变片，非线性误差大
第3章 传感器 ■ 金属应变片 ——应变效应为主 1+ 2 E S 1+ 2 （多在1.7~3.6之间） ■ 半导体应变片 E 1+ 2 S E （多在60~150之间） 半导体应变片的灵敏度高、体积小，但温度稳定性和 重复性不如金属应变片，非线性误差大。 ——压阻效应为主
第3章传感器2.结构金属电阻应变片的敏感元件为栅形的金属敏感栅，有丝式、箔式及薄膜式等结构形式。BEb)a)丝式箔式金属电阻应变片的结构
第3章 传感器 2. 结构 金属电阻应变片的敏感元件为栅形的金属敏感栅，有 丝式、箔式及薄膜式等结构形式。 金属电阻应变片的结构 丝式 箔式
第3章传感器半导体应变片主要有体型、薄膜型、扩散型三种类型。体型扩散型薄膜型半导体应变片的结构
第3章 传感器 半导体应变片的结构 半导体应变片主要有体型、薄膜型、扩散型三种类型。 体型 薄膜型 扩散型
第3章传感器3.特点金属电阻应变片的灵敏度较低，但温度稳定性好、非线性误差小：半导体应变片的灵敏度较高，横向效应和机械滞后小，其缺点是温度稳定性差，非线性误差大。使用应变片时通常要采取温度补偿和非线性误差补偿等措施。电阻应变式传感器具有体积小、动态响应快、测量精度高、使用简便等优点，可用来测量应变、力、位移、加速度、扭矩等参数。一应变电桥电阻应变片的转换电路
第3章 传感器 3. 特点 ● 金属电阻应变片的灵敏度较低，但温度稳定性好、 非线性误差小；半导体应变片的灵敏度较高，横向效应和 机械滞后小，其缺点是温度稳定性差，非线性误差大。使 用应变片时通常要采取温度补偿和非线性误差补偿等措施。 ● 电阻应变式传感器具有体积小、动态响应快、测量 精度高、使用简便等优点，可用来测量应变、力、位移、 加速度、扭矩等参数。 ● 电阻应变片的转换电路——应变电桥