第3章多极放大电路 模拟电子技术基础 缺点: 1低频特性变差; 2体积大、笨重且不易集成。 31.4光电耦合 、光电耦合器 D3 c 增大 T e 图315光电耦合器及其传输特性 妾卖学信息学院一 <■结束D
第3章 多极放大电路 11 (1-11) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 缺点： 1.低频特性变差； 2.体积大、笨重且不易集成。 3.1.4 光电耦合 图3.1.5 光电耦合器及其传输特性 一、光电耦合器
第3章多极放大电路 模拟电子技术基础 二、光电耦合放大电路 输出回路 信号源 光电耦合器 R R 图316光电耦合放大电路 妾卖学信息学院 <■结束D
第3章 多极放大电路 12 (1-12) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 二、光电耦合放大电路 图3.1.6 光电耦合放大电路
心第3章多极放大电路 模拟电子技术基础 §3.2多级放大电路的动态分析 R A A R 图321多级放大电路方框图 1静态分析:确定各级静态工作点 2动态分析: 4u=Ag R=RI R=R 妾卖学信息学院 <■结束D
第3章 多极放大电路 13 (1-13) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 图3.2.1 多级放大电路方框图 § 3.2 多级放大电路的动态分析 1.静态分析：确定各级静态工作点 2.动态分析： n j Au Auj 1 Ri Ri1 Ro Ron
第3章多极放大电路 模拟电子技术基础 举例: +y R21R(2(+24V)设:A=B=50, 82k10k rbe1=2.9k2, C rber=1.7 kQ2 R 求:A S Ok R E2 27k43k 8k E 她县大愉前霜息学院 后级 <■结束D
第3章 多极放大电路 14 (1-14) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 设: 1 =2=50, rbe1 = 2.9k , rbe2 = 1.7 k i o 求： A、r、r 前级 后级 +VCC RS 1M R1 (+24V) 20k 27k C2 C3 R3 R2 RL RE2 82k 43k 10k 8k 10k C1 RC2 T1 RE1 CE T2 US Uo Ui 举例：
第3章多极放大电路 模拟电子技术基础 静态:Q点同单级 2.动态性能: + 关键:考虑级间影响。R1 R R (+24v) IⅣ 82k10k T1 T 方法: S Ok 10k R 12 LI El C U,T 27k 43KI8k E 娶去学。信息学院 <■结束D
第3章 多极放大电路 15 (1-15) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 关键:考虑级间影响。 1. 静态: Q点同单级。 2. 动态性能: 方法: ri2 = RL1 ri2 Uo1 Ui2 +VCC RS 1M R1 (+24V) 20k 27k C2 C3 R3 R2 RL RE2 82k 43k 10k 8k 10k C1 RC2 T1 RE1 CE T2 US Uo Ui Uo1 Ui2