《数字电子技术基础》第五版 半导体基础知识(3) 空穴负离子正离子自由电子 ⅨN结的形成 0OOo0olO P区 N区 空间电荷区 空间电荷区 (耗尽层) O○|O⊕④ ·扩散和漂移 P区 N区 大
《数字电子技术基础》第五版 半导体基础知识（3） • PN结的形成 • 空间电荷区 （耗尽层） • 扩散和漂移
《数字电子技术基础》第五版 半导体基础知识(4) 耗尽层 P区 N区 PN结的单向导电ooo|e@°a,⊙ 性 Q○○④e④ 外加正向电压 i内电场 外电场 R 大
《数字电子技术基础》第五版 半导体基础知识（4） • PN结的单向导电 性 • 外加正向电压
《数字电子技术基础》第五版 半导体基础知识(4) P区 耗尽层—!N区 ·N结的单向导电ooe@@ 性 外加反向电压 内电场 外电场 R 大
《数字电子技术基础》第五版 半导体基础知识（4） • PN结的单向导电 性 • 外加反向电压
《数字电子技术基础》第五版 半导体基础知识(5) PN结的伏安特性 正向导通区 反向截止区 =1en-) VT q BR) K波耳兹曼常数」 下热力学温度 q电子电荷 反向击穿区 大
《数字电子技术基础》第五版 半导体基础知识（5） • PN结的伏安特性 正向导通区 反向截止区 反向击穿区 q V nkT i I e T V V S T = = ( −1) K:波耳兹曼常数 T:热力学温度 q: 电子电荷
《数字电子技术基础》第五版 第三章门电路 大
《数字电子技术基础》第五版 第三章 门电路