个二板管从正向导通到截止有一个反向恢复过程 ■在t时:V从+v变为vR 反向恢复过程: t1 R D从正向导通转为反向截止 的转换过程。 1 冷t称为存储时间, xt叫称为渡越时间 ts 今te=t+t。称为反向恢 复时间。 今反向恢复时间由PN结动态反向结电容及其反向结电阻 和外电路等效电阻形成的时间常数决定。它使二极管的 开关速度受到限制
1.二极管从正向导通到截止有一个反向恢复过程 ❖ 反向恢复过程： D从正向导通转为反向截止 的转换过程。 ❖ ts称为存储时间， ❖ t t叫称为渡越时间， ❖ t re = ts + t t。称为反向恢 复时间。 ◼ 在t1时:VI从+VF变为-VR。 ❖反向恢复时间由PN结动态反向结电容及其反向结电阻 和外电路等效电阻形成的时间常数决定。它使二极管的 开关速度受到限制
31.1数字集成电路简介 1、逻辑门:实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。 逻辑门电路的分类 二极管门电路 分立门电路 三极管门电路了 NMOS门 逻辑门电路 MOS门电路{PMOs门 集成门电路 CMOS门 TTL门电路
1 、逻辑门:实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。 2、 逻辑门电路的分类 二极管门电路 三极管门电路 TTL门电路 MOS门电路 PMOS门 CMOS门 逻辑门电路 分立门电路 集成门电路 NMOS门 3.1.1 数字集成电路简介
31.1数字集成电路简介 1CMOS集成电路: 广泛应用于超大规模、甚大规模集成电路 4000系列 74HC 74HC 74VHC74VHC 74LVC 74VAUC 速度慢 速度加快 速度两倍于74HC低(超低)电压 与TT不兼容与TI容 与TTL菲容 速度更加快 抗干扰 负载能力强 负载能力强 与TTL菲容 功耗低 抗千扰 抗千扰 负载能力强 功耗低 功耗低 抗千扰功耗低 2TTL集成电路: 广泛应用于中大规模集成电路 74系列}→4LS系列}→D4A5系列}→匚74ALS
1.CMOS集成电路: 广泛应用于超大规模、甚大规模集成电路 4000系列 74HC 74HCT 74VHC 74VHCT 速度慢 与TTL不兼容 抗干扰 功耗低 74LVC 74VAUC 速度加快 与TTL兼容 负载能力强 抗干扰 功耗低 速度两倍于74HC 与TTL兼容 负载能力强 抗干扰 功耗低 低(超低)电压 速度更加快 与TTL兼容 负载能力强 抗干扰功耗低 74系列 74LS系列 74AS系列 74ALS 2.TTL 集成电路: 广泛应用于中大规模集成电路 3.1.1 数字集成电路简介
3.1.2逻辑门电路的一般特性 1.输入和输出的高、低电平 驱动门G1 负载门 输入低电平的上限值 IL(max) 输出 DD 高电平 输入 输入高电平的下限值 HImin 高电平 IL(min) IH(min) 输出高电平的下限值 OH(min IL(max) 输入 输出低电平的上限值 输出 低电平 下m,很电 OH(max) G1门7范围 G2门n范围
3.1.2 逻辑门电路的一般特性 1. 输入和输出的高、低电平 vO v I 驱动门 G1 负载门G2 1 1 输出高电平的下限值 VOH(min) 输入低电平的上限值 VIL(max) 输入高电平的下限值 VIL(min) 输出低电平的上限值 VOH(max) 输出 高电平 +VDD VOH(min) VOL(max) 0 G1 门 vO范围 vO 输出 低电平 输入 高电平 VIH(min) VIL(max) +VDD 0 G2 门 vI 范围 输入 低电平 vI
2.噪声容限 在保证输出电平不变的条件下,输入电平允许波动的范围。它表 示门电路的抗干扰能力 驱动声负载门 负载门输入高电平时的噪声容限: H一当前级门输出高电平的最小 值时允许负向噪声电压的最大值。 驱动门G1 负载门G2 V NH OH(min) IH(min) 负载门输入低电平时的噪声容限: 当前级门输出低电平的最大 值时允许正向噪声电压的最大值 Vn IL(max) OL(max)4 (ma)- OL(max) G1门vo范围 门v1范围
VNH —当前级门输出高电平的最小 值时允许负向噪声电压的最大值。 负载门输入高电平时的噪声容限： VNL —当前级门输出低电平的最大 值时允许正向噪声电压的最大值 负载门输入低电平时的噪声容限： 2. 噪声容限 VNH =VOH(min)－VIH(min) VNL =VIL(max)－VOL(max) 在保证输出电平不变的条件下，输入电平允许波动的范围。它表 示门电路的抗干扰能力 1 驱动 门 vo 1 负载门 vI 噪声