6.2读写存储器RAM(P201) ■1.SRAM的六管CMOS)存储电路 VcG 0
6.2 读写存储器RAM(P201) 1. SRAM的 六 管(CMOS)存储电路
6.2读写存储器RAM(P201) ■1.单管DRAM存储电路 ■DRAM 字选线 1.读写过程分析 2.存在的问题 由于电容小,一般比 数据线上的分布电容C小 每次读出后内容被破坏 另外,电容总存在漏电 因此需要动态补充电 荷(即定时刷新) R
6.2 读写存储器RAM(P201) 1. 单管DRAM存储电路 DRAM 1.读写过程分析 2.存在的问题 由于电容小，一般比 数据线上的分布电容C D 小， 每次读出后内容被破坏， 另外，电容总存在漏电。 因此需要动态补充电 荷（即定时刷新）