6.1.1随机读写存储器(RAM) ■RAM 随机读写存储器可随时在任一地址单元读出信 息或写入新信息 双极型RAM,读写速度高,但集成度低,功耗高 微机中几乎都用M0S型RAM。 返回
6.1.1 随机读写存储器(RAM) RAM 随机读写存储器可随时在任一地址单元读出信 息或写入新信息。 双极型R A M,读写速度高,但集成度低,功耗高。 微机中几乎都用MOS型RAM。 返回
6.1.1随机读写存储器(RAM) ■M0S型RAM 1.静态RAM(即SRAM,其存储电路以双稳态触发器 为基础,状态稳定,只要不掉电,信息不会丢失,但集成 度低 2.动态RAM(即DRAM,存储单元电路以电容为基础, 电路简单,集成度高,功耗低,因电容漏电,需定时刷新。 3.组合RAM(即IRAM,附有片上刷新逻辑的DRAM, 兼有SRAM和DRAM的优点。 返回
6.1.1 随机读写存储器(RAM) MOS型RAM ⒈静态R A M(即S R A M ),其存储电路以双稳态触发器 为基础,状态稳定,只要不掉电,信息不会丢失,但集成 度低。 ⒉动态R A M(即D R A M ),存储单元电路以电容为基础, 电路简单,集成度高,功耗低,因电容漏电,需定时刷新 。 ⒊ 组 合 RAM( 即IRAM),附有片上刷新逻辑的D R A M, 兼有SRAM和DRAM的优点。 返回
6.1.1随机读写存储器(RAM) ■M0S型RAM 4.非易失RAM(即 NVRAM 它是由SRM和EPRM共同构成的存储器,正常运 行时和SRAM一样,而在掉电或电源故障时,把SRAM的信 息保存在EPR0M中, NVRAM多用于存储非常重要的信息 和掉电保护 返回
6.1.1 随机读写存储器(RAM) MOS型RAM ⒋非易失RAM(即NVRAM) 它是由S R A M和E 2 P R O M共同构成的存储器,正常运 行时和S R AM一样,而在掉电或电源故障时,把S R A M 的 信 息保存在E 2 P R OM中,N V R A M多用于存储非常重要的信息 和掉电保护。 返回
6.1.2ROM的种类 ■ROM 只读存储器R0M在使用过程中,只能读出存储的 信息,而不能用通常的方法写入信息,分为如下几种 掩膜R0M,按用户要求掩膜制成,只能读,无法 再改写,适合存储成熟的程序,大量生产时,成本低 2.可编程ROM(PROM,为空白存储器,用户一次性 写入,写入后不能更改,适合批量生产 3.可擦除的PR0M( EPROM),用户按规定方法可多 次改写内容,改写时先用紫外线擦除,适合于研制和 开发
6.1.2 ROM的种类 ROM 只读存储器R O M在使用过程中,只能读出存储的 信息,而不能用通常的方法写入信息,分为如下几种: ⒈掩膜R O M,按用户要求掩膜制成,只能读,无法 再改写,适合存储成熟的程序,大量生产时,成本低。 ⒉可编程R O M(PROM),为空白存储器,用户一次性 写入,写入后不能更改,适合批量生产 。 ⒊ 可 擦 除 的 PROM(EPROM),用户按规定方法可多 次改写内容,改写时先用紫外线擦除,适合于 研 制 和 开发
6.1.2ROM的种类 ■ROM 4.电可擦除的PROM(2PR0M,能以字节为单位进 行擦除和改写,并可直接在机器内进行擦除和改写, 方便灵活 5、闪速存储器( Flash Memory)是80年代末推出 的新型存储芯片,它的主要特点是在掉电情况下可长 期保存信息,具有非易失性,原理上看象R0M;但又 能在线进行快速擦除与改写,功能上象RAM,因此兼有。 巸2PROM和SRAM的优点。其集成度与价格己接近EPR0M, 是替代 EPROM和E2PROM的理想器件
6.1.2 ROM的种类 ROM ⒋电可擦除的PROM(E 2PROM),能以字节为单位进 行擦除和改写,并可直接在机器内进行擦除和改写, 方便灵活。 5、闪速存储器(Flash Memory)是80年代末推出 的新型存储芯片,它的主要特点是在掉电情况下可长 期保存信息,具有非易失性，原理上看象ROM；但又 能在线进行快速擦除与改写,功能上象RAM,因此兼有。 E2PROM和SRAM的优点。其集成度与价格己接近EPROM， 是替代EPROM和E2PROM的理想器件