2跨导线性原理 利用图可推导出环中各晶 体管电流间的约束关系,因 为跨导线性环中的各BJT管 T2 必须处于正偏放大区,所以 BE 环中第j个晶体管的电流传 03 输方程可表示为: I·exp(.) 其中Vr=kT/q 上式也可写成VB= V. In (7-1-1) 这是环中第j个晶体管正偏发射结的电压表达式,那么沿环一周各正偏结 的电压之和应为零,既有 ∑ 6= (7-1-2) 将式(7-1-1)代入(7-1-2),可有∑vrmn=0 因为在环内,顺时针方向(cW)的正偏结数必定等于反时针方向(CCW) 的正偏结数,则有 ∑vmn=∑
2 跨导线性原理 利用图可推导出环中各晶 体管电流间的约束关系，因 为跨导线性环中的各 BJT 管 必须处于正偏放大区，所以 环中第 j 个晶体管的电流传 输方程可表示为： ) V V I I exp( T BEj cj sj = 其中 VT =kT/q 上式也可写成 s j Cj BEj T I I V = V l n (7-1-1) 这是环中第 j 个晶体管正偏发射结的电压表达式，那么沿环一周各正偏结 的电压之和应为零，既有 VBE = = n j 1 VBEj 0 （7-1-2） 将式（7-1-1）代入（7-1-2），可有 = = n j 1 s j cj T 0 I I V l n 因为在环内，顺时针方向（CW）的正偏结数必定等于反时针方向（CCW） 的正偏结数，则有 = ccw sj cj T sj cj cw T I I V ln I I V ln
2跨导线性原理 ∑ ∑ Vr In 利用对数的性质 T2 g (7-1-3) CCH 由于在TL环路中发射结反向 饱含电流I;与发射结的面 积成正比,在TL环路的制 造工艺中可控制发射区的几 何尺寸来实现所需的发射区 面积之比。因此上式中的Is可表示为:14J5 或中,A3是第j个结的发射区面积,J是由几何尺寸决定的发射结反向饱含电流密度。 由式(713)可导出有用的理论公式∏工 (7-1-4) 上式中—恰好是发射极电流密度,于是就能以最简明紧凑的形 式来表达回路原理Js=IJ(7=1-5 c
2 跨导线性原理 = ccw sj cj T sj cj cw T I I V ln I I V ln 利用对数的性质 = cw ccw sj Cj sj cj I I I I （7-1-3） 由于在 TL 环路中发射结反向 饱含电流 Isj 与发射结的面 积成正比，在 TL 环路的制 造工艺中可控制发射区的几 何尺寸来实现所需的发射区 面积之比。因此上式中的 Isj 可表示为： Isj =Aj .Jsj 或中，Aj是第j 个结的发射区面积，Jsj是由几何尺寸决定的发射结反向饱含电流密度。 由式（7-1-3）可导出有用的理论公式 = cw ccw j Cj j cj A I A I (7-1-4) 上式中 j cj A I 恰好是发射极电流密度，于是就能以最简明紧凑的形 式来表达 TL 回路原理 = cw ccw J cj J cj (7-1-5)