4.2.3随机存储器 工艺/双极型∫TL型 >速度很快、功耗大、 ECL型容量小 PM0s功耗小 电路结构{MoS M0S型 CMOS 工作方式{静态M0S 静态存储器SRAM 存储信「依靠双稳态电路内部交叉反馈的机 息原理制存储信息。 动态存储器DRAM(动态M0S型): 功耗较小,容量大,速度较快,作主存
工艺 双极型 MOS型 ECL型 速度很快、功耗大、 容量小 电路结构 PMOS NMOS CMOS 功耗小、 工作方式 静态MOS 动态MOS 存储信 息原理 静态存储器SRAM 动态存储器DRAM 依靠双稳态电路内部交叉反馈的机 制存储信息。 （动态MOS型）： 功耗较小,容量大,速度较快,作主存。 4.2.3 随机存储器 TTL型
MOs管简介 (1)、分类: NMOS(N沟道增强型场效应晶体管):P型衬 底,N型高掺杂扩散区(两个),正电压开启; PMOS(P沟道增强型场效应晶体管):N型衬 底,P型高掺杂扩散区(两个),负电压开启 (2)、逻辑符号: 以NMOS增强型为例介绍— G D漏极 (3)、结构: 栅极 S源极 源 栅G漏D 通常衬底和 S02 二氧化硅 源接在一起 P(衬底) 绝缘层 B
MOS管简介 (1)、分类： NMOS（N沟道增强型场效应晶体管）：P型衬 底，N型高掺杂扩散区（两个），正电压开启； PMOS（P沟道增强型场效应晶体管）：N型衬 底，P型高掺杂扩散区（两个），负电压开启。 (2)、逻辑符号： 以NMOS增强型为例介绍—— (3)、结构： G 栅极 D 漏极 S 源极 P（衬底） N+ N+ 源 S 栅 G 漏 D SiO2 二氧化硅 绝缘层 B 通常衬底和 源接在一起
(4)、工作原理: 在电场作用下,半导体表面的导电性能会发生变化—半导体 表面场效应现象。 仍以NMOS为例:当栅极上加一正压时(>=Vr,V称为开启 电压),栅极下方的自由电子被吸引形成“反型层”(与衬底P型 导电类型相反),反型层将两个N区连通,形成沟道,源、漏极导 通。因此反型层也叫沟道。 源S栅G漏D N(衬底) (5)、开关特性: 以MOS反相器为例,电路图如下 D Ro VDd G
(4)、工作原理： 在电场作用下，半导体表面的导电性能会发生变化——半导体 表面场效应现象。 仍以NMOS为例：当栅极上加一正压时（>=VT，VT称为开启 电压），栅极下方的自由电子被吸引形成“反型层”（与衬底P型 导电类型相反），反型层将两个N区连通，形成沟道，源、漏极导 通。因此反型层也叫沟道。 (5)、开关特性： 以MOS反相器为例，电路图如下： G D RD VDD S N（衬底） P- P- 源 S 栅 G 漏 D
静态特性: 1)UGS<U时,MOS管截止,输出UDS≈UDD, iDS≈0,相当于断开。等效电路如下(左图): DD V DD R G1D输出 gidD 截止 导通 工 工 DS 2)Ues>UT时,MOS管导通,输出 UDs≈0V,等效电路如上(右图):
静态特性： 1）UGS<UT时，MOS管截止，输出UDSUDD， iDS 0，相当于断开。等效电路如下（左图）： G RD S D VDD rDS 导 通 G RD S D VDD 截 止 输 出 2） UGS>UT时，MOS管导通，输出 UDS 0V，等效电路如上（右图）：
4.2.3.1静态RAM(SRAM) 1.六管单元 CC (1)组成 T3 T4 T1、T3:M0S反相器 T5 A B T6 T2、T4:M0S反相器 T1 T2 触发器 T5、T6:控制门管 z:字线,选择存储单元 W、W:位线,完成读/写操作 (2)定义 0”:1导通,T2截止; “1”:T1截止,T2导通
4.2.3.1 静态 RAM (SRAM) 1.六管单元 （1）组成 T1、T3：MOS反相器 Vcc 触发器 T3 T1 T4 T2 T2、T4：MOS反相器 T5 T6 T5、T6：控制门管 Z Z：字线，选择存储单元 位线，完成读/写操作 W W W、 W： （2）定义 “0”：T1导通，T2截止； “1”：T1截止，T2导通。 A B