§2.3放大电路的分析方法 等效电路法 半导体器件的非线性特性使放大电路的分析复 杂化。利用线性元件建立模型,来描述非线性 器件的特性。 1、直流模型:适于Q点的分析 R b 十 BEQ BB BEQ BO Ico=BlBO,U R Q
§2.3 放大电路的分析方法 三、等效电路法 • 半导体器件的非线性特性使放大电路的分析复 杂化。利用线性元件建立模型，来描述非线性 器件的特性。 – 1、直流模型：适于Q点的分析。 CQ BQ CEQ CQ c b BB BEQ BQ ,I I ,U V I R R V U I = = CC − － ＝
2、晶体管的h参数等效模型 可将晶体管看成为一个两 端口网络,输入回路、输 出回路各为一个端口 IB CE2 BE B, CE l CEQ
2、晶体管的h参数等效模型 • 可将晶体管看成为一个两 端口网络，输入回路、输 出回路各为一个端口。 = = ( ) ( ) C B CE BE B CE i f i u u f i u ，
在低频、小信号作用下的关系式 BE BE BE du CE B TBCE Uhe=h,1b+hUge ( dlc alB da h2 1b+h22l CE CE ·交流等效模型 h h12l1 1/h
• 在低频、小信号作用下的关系式 • 交流等效模型 + = + = CE CE C B B C C CE CE BE B B BE BE d d d d d d C E B C E B u u i i i i i u u u i i u u U I U I = + = + C 21 b 22 CE be 11 b 12 CE I h I h U U h I h U
h参数的物理意义 be间动态 电阻 BE II U CE △iBlE Q 内反馈 oul 系数 BE BEQ BEQ (a) 电流放大 系数 Ice B c-e间电导 22 △cE ou CE 分清主次,合理近似!
h参数的物理意义 be B BE 11 C E r i u h U = = B CE BE 12 I u u h = = = C E B C 21 U i i h B CE C 22 i u i h = 分清主次，合理近似！ b-e间动态 电阻 内反馈 系数 电流放大 系数 c-e间电导
简化的h参数等效电路一交流等效模型 (微变等效电路) =b+(1+B) b EQ ● 飞 基区体电阻一查阅手册 发射结电阻一由发射极静态电流来计算
简化的h参数等效电路－交流等效模型 （微变等效电路） EQ T bb' b be be (1 ) I U r I U r = = + + 基区体电阻－查阅手册 发射结电阻－由发射极静态电流来计算