五、ⅨN结的电容效应 1、势垒电容 耗尽层的宽窄随外加电压的变化而变化,这相 当于电容的充、放电,其所等效的电容称为势垒电 容Cb见图1111所示。 N区 oloolo O△O 耗尽层 U+△ (a) 图11.11
五、PN结的电容效应 1、势垒电容 耗尽层的宽窄随外加电压的变化而变化，这相 当于电容的充、放电，其所等效的电容称为势垒电 容Cb。见图1.1.11所示。 图1.1.11
扩散电容 PN结处于平衡状态时的少子称为平衡少子 PN结处于正向偏置时,从P区扩散到N区的空穴 和从N区扩散到P区的自由电子均称为非平衡少子。 当外加正向电压一定时,靠近耗尽层交界面的地方 非平衡少子的浓度高,而远离交界面地方的非平衡 少子的浓度低。且浓度自高到低逐渐衰减,直到零 形成一定的浓度梯度(浓度差),从而形成扩散电 流。当外加正向电压增大时,非平衡少子的浓度增 大且浓度梯度也增大,从外部看正向(扩散)电流 增大。当外加正向电压减小时,与上述变化情况相 反 扩散区内,电荷的积累和释放过程与电容的充 放电过程相同,这种电容效应称为扩散电容Cd
2、扩散电容 PN结处于平衡状态时的少子称为平衡少子。 PN结处于正向偏置时，从P区扩散到N区的空穴 和从N区扩散到P区的自由电子均称为非平衡少子。 当外加正向电压一定时，靠近耗尽层交界面的地方 非平衡少子的浓度高，而远离交界面地方的非平衡 少子的浓度低。且浓度自高到低逐渐衰减，直到零， 形成一定的浓度梯度（浓度差），从而形成扩散电 流。当外加正向电压增大时，非平衡少子的浓度增 大且浓度梯度也增大，从外部看正向（扩散）电流 增大。当外加正向电压减小时，与上述变化情况相 反。 扩散区内，电荷的积累和释放过程与电容的充 放电过程相同，这种电容效应称为扩散电容Cd
见图11.12所示。 N区尽 图11.12 PN结的结电容C是势垒电容C和扩散电容(d 之和,即 b d
见图1.1.12所示。 图1.1.12 PN结的结电容Cj是势垒电容Cb和扩散电容Cd 之和，即 Cj=Cb+Cd
1.2半导体二极管 )- 图121 121半导体二极管的常见结构 阳极引线 金属丝N型储片 铝合金小球 PN结 N型硅 金锑合金 阳极引线□ 阴极引线 (a)是点接触型 阴极引线 阳极引线 (b是面接触型; (c)是平面型; (d是二极管的符号 阴极引线 图122
1.2 半导体二极管 图1.2.1 1.2.1 半导体二极管的常见结构 图1.2.2 (a)是点接触型； (b)是面接触型； (c)是平面型； (d)是二极管的符号
12.,2二极管的伏安特性 二极管和PN结伏安特性的区别 由于存在半导体体电阻和引线电阻,在电流相 同的情况下,二极管的端电压比PN结上的压降大。 如图1.2.3所示。使二极管开始导通的临界电压称为 开启电压Uon BR) 图123
1.2.2 二极管的伏安特性 一、二极管和PN结伏安特性的区别 由于存在半导体体电阻和引线电阻，在电流相 同的情况下，二极管的端电压比PN结上的压降大。 如图1.2.3所示。使二极管开始导通的临界电压称为 开启电压Uon。 图1.2.3