半导体存储器的性能指标 今存取时间(读写速度) 半导体存储器芯片的速度一般用存取时向和 存储周期两个指标来衡量。 在存储器芯片的手册中可以查得 最小读出周期tcyc(R)( Read Cycle Time) 最小写周期tcyc(W( Write Cycle Time) RD的持续时间 tcyc(R)<4T-tda-tD-T tcyc(W)<4T-tda-tD-T WR的持续时间 xtwang@mail.xidian.edu.cn 无不技大字 XIDIAN UNIVERSITY
半导体存储器的性能指标 ❖存取时间（读写速度） ▪ 半导体存储器芯片的速度一般用存取时间和 存储周期两个指标来衡量。 ▪ 在存储器芯片的手册中可以查得 最小读出周期tcyc(R)(Read Cycle Time) 最小写周期tcyc(W)(Write Cycle Time)。 xtwang@mail.xidian.edu.cn tcyc(R)＜4T－tda－tD－T tcyc(W)＜4T－tda―tD―T RD的持续时间 WR的持续时间
半导体存储器的性能指标 今非易失性 今可靠性 功耗 今价格 xtwang@mail.xidian.edu.cn 而虑子技大 XIDIAN UNIVERSITY
半导体存储器的性能指标 ❖非易失性 ❖可靠性 ❖功耗 ❖价格 xtwang@mail.xidian.edu.cn
Contents 存储器分类及主要指标 2 常用存储器芯片介绍 3 扩展存储器设计 4 存储器地址译码电路设计 5 存储器与CPU的连接 无不技大字 XIDIAN UNIVERSITY
Contents 存储器分类及主要指标 1 常用存储器芯片介绍 2 3 扩展存储器设计 存储器地址译码电路设计 4 存储器与CPU的连接 5
62常用存储器芯片介绍 心SRAM芯片的引脚特点 AB A0-An DO -Dn DB 译码电路→CS A-二c 地址线A0~An接CPU的地址总线AB(个数取决于字数N) 数据线D0~Dn接CPU的数据总线DB(个数取决于字长M) 片选线cS由地址译码电路产生 读写线OE、WE由cPU的RD和WR控制 xtwang@mail.xidian.edu.cn 而虑子技大 XIDIAN UNIVERSITY
6.2 常用存储器芯片介绍 ❖SRAM芯片的引脚特点 xtwang@mail.xidian.edu.cn 地址线 A0~An 接CPU的地址总线AB （个数取决于字数N） 数据线D0~Dn接CPU的数据总线 DB （个数取决于字长M） 片选线 CS 由地址译码电路产生 读写线 OE、WE 由CPU的 RD 和 WR 控制 — — — — —
62常用存储器芯片介绍 今SRAM芯片Inte6264 D。~D AAAo~A12用作存储 Intel CS 器片内寻址 6264 CS Qcs1,cs2用作cPU WE 片选寻址 提供两个片选信号 是为了提供片选方式的多样性 xtwang@mail.xidian.edu.cn 现看子什教大
6.2 常用存储器芯片介绍 ❖SRAM芯片 Intel 6264 xtwang@mail.xidian.edu.cn 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 NC A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 VCC WE CS2 A8 A9 A11 OE A10 CS1 D7 D6 D5 D4 D3 地址线 —— A0~ A12 数据线 —— D0~D7 控制线 —— OE、WE、CS1、CS2 — — — CS1 CS2 WE OE 数据引脚 H × L 高阻 高阻 输入 输出 × L L L × × × × H H H H H H L L H 高阻 容量 = 8K×8 = 8KB A0~A12 用作 存储 器 片内寻址 CS1，CS2 用作CPU 片选寻址 提供两个片选信号 是为了提供片选方式的多样性