BK76MAP:控制BANK6/7的大小及映射 100:2MB; 101:4MB; 110:8MB 111:16MB 000:32MB 001:64MB 010:128MB
BK76MAP：控制BANK6/7的大小及映射 100：2MB； 101：4MB； 110：8MB 111：16MB； 000：32MB； 001：64MB 010：128MB
6、 MRSRB67-BANK6/7模式设置寄存器 1514131211109876543210 WBU TM CL BT BL wBL:突发写的长度。0:固定长度;1:保留 TM:测试模式。 00:模式寄存器集;其它保留 CL:列地址反应时间 000:1个时钟;010:2个时钟; 01:3个时钟;其它保留 BT:猝发类型 0:连续; 1:保留 BL:猝发时间 000:1个时钟;其它保留
WBL：突发写的长度。0：固定长度；1：保留 TM：测试模式。 00：模式寄存器集；其它保留 CL：列地址反应时间 000：1个时钟；010：2个时钟； 011：3个时钟；其它保留 BT：猝发类型 0：连续； 1：保留 BL：猝发时间 000：1个时钟；其它保留 6、MRSRB6/7---BANK6/7模式设置寄存器 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 WBL TM CL BT BL
4.2.2 Nand flash及其控制器 主要内容 1、 Nand flash控制器概述 2、控制器主要特性 3、控制器的寄存器 4、控制器的工作原理
4.2.2 Nand Flash及其控制器 主要内容 1、Nand Flash控制器概述 2、控制器主要特性 3、控制器的寄存器 4、控制器的工作原理
422 Nand flash及其控制器 Nor flash存储器:读速度高,而擦、写速度低,容量 小,价格高。 Nand flash存储器:读速度不如 Norflash,而擦、写速 度高,容量大,价格低。有取代磁盘的趋势。 因此,现在不少用户从 Nand flash启动和引导系统,而 在 SDRAM上执行主程序代码。 、 Nand flash控制器概述 S3C2410X微控制器从 Nand flash的引导功能:其内部 有一个叫做“起步石( Steppingstone)”的SRAM缓冲器, 系统启动时, Nand flash?存储器的前面4KBye字节将被自 动载入到起步石中,然后系统自动执行这些载入的引导代 码。引导代码执行完毕后,自动跳转到 SDRAM执行。 Nand flash操作的校验功能:使用S3C2410X内部硬件 ECC功能可以对 Nand flash的数据进行有效性的检测
4.2.2 Nand Flash及其控制器 Nor flash存储器：读速度高，而擦、写速度低，容量 小，价格高。 Nand flash存储器：读速度不如Nor flash，而擦、写速 度高，容量大，价格低。有取代磁盘的趋势。 因此，现在不少用户从Nand flash启动和引导系统，而 在SDRAM上执行主程序代码。 一、Nand Flash控制器概述 S3C2410X微控制器从Nand flash的引导功能：其内部 有一个叫做“起步石（Steppingstone）”的 SRAM缓冲器， 系统 启动时，Nand flash存储器的前面4KByte字节将被自 动载入到起步石中，然后系统自动执行这些载入的引导代 码。引导代码执行完毕后，自动跳转到SDRAM执行。 Nand flash操作的校验功能：使用S3C2410X内部硬件 ECC功能可以对Nand flash的数据进行有效性的检测
二、 Nand flash控制器主要特性 Nand flash模式:支持读擦编程 Nand flash存 储器 自动导入模式:复位后,引导代码被送入 Steppingstone,传送后,引导代码在 Steppingstone中执行。 具有硬件ECC(纠错码)功能:硬件产生纠错 代码。 内部4KB的SRAM缓冲器 Steppingstone,在 Nand flash引导后可以作为其他用途使用
二、 Nand Flash控制器主要特性 • Nand Flash模式：支持读/擦/编程Nand flash存 储器。 • 自动导入模式：复位后，引导代码被送入 Steppingstone，传送后，引导代码在 Steppingstone中执行。 • 具有硬件ECC（纠错码）功能：硬件产生纠错 代码。 • 内部4KB的SRAM缓冲器Steppingstone，在 Nand flash引导后可以作为其他用途使用