Tcoh:nOE无效后片选信号的保持时间 00:0个;01:1个;10:2个;11:4个时钟 Tcah: n GCSn无效后地址信号的保持时间 00:0个;01:1个;10:2个;11:4个时钟 Iacp:页模式的访问周期 00:2个;01:3个;10:4个;11:6个时钟 PMC:页模式的配置,每次读写的数据数 00:1个;01:4个;10:8个;11:16个 注:00为通常模式。 注:紫色为实验箱上的配置,其值为0x0700
Tcoh：nOE无效后片选信号的保持时间 00：0个；01：1个；10：2个；11：4个时钟 Tcah： nGCSn无效后地址信号的保持时间 00：0个；01：1个；10：2个；11：4个时钟 Tacp：页模式的访问周期 00：2个；01：3个；10：4个；11：6个时钟 PMC：页模式的配置，每次读写的数据数 00：1个；01：4个；10：8个；11：16个 注：00为通常模式。 注：紫色为实验箱上的配置，其值为0x0700
3、BANK6/7-存储器组6/7控制寄存器 31 171615 保留 14131211109876543210 Tacs Tcos Tcoh Tcah Tacp/ PMC facc Trcd SCAN MT:设置存储器类型 00:ROM或者SRAM,|3:0为1acp和PMC; 11: SDRAM,阝3:0为Trcd和SCAN;01、10:保留 Trcd:由行地址信号切换到列地址信号的延时时钟数 00:2个时钟;01:3个时钟;10:4个时钟 SCAN:列地址位数 00:8位;01:9位;10:10位
MT：设置存储器类型 00：ROM或者SRAM，[3：0]为Tacp和PMC； 11：SDRAM， [3：0]为Trcd和SCAN； 01、10：保留 Trcd：由行地址信号切换到列地址信号的延时时钟数 00：2个时钟；01：3个时钟；10：4个时钟 SCAN：列地址位数 00：8位； 01：9位； 10：10位 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 Tacs Tcos Tacc Tcoh Tcah Tacp/ Trcd PMC/ SCAN 3、BANK6/7---存储器组6/7控制寄存器 31 …… 17 16 15 保留 MT
4、 REFRESH-刷新控制寄存器 31 2423 22212019181716 保留 REFENTREFMDTrpTsre保留 15141312109876543210 保留 Refresh count REFEN:刷新控制。 1:使能刷新;0:禁止刷新 TREFMD:刷新方式。1:自刷新0:自动刷新 Trp:设置 SDRAM行刷新时间(时钟数) 00:2个时钟;01:3个;10:3个;11:4个时钟 Tsre:设置 SDRAM行操作时间(时钟数) 00:4个时钟;01:5个;10:6个;11:7个时钟 注: SDRAM的行周期=Trp+Tsre Refresh count:刷新计数值
REFEN：刷新控制。 1：使能刷新；0：禁止刷新 TREFMD：刷新方式。 1：自刷新 0：自动刷新 Trp：设置SDRAM行刷新时间（时钟数） 00：2个时钟；01：3个；10：3个；11：4个时钟 Tsrc：设置SDRAM行操作时间（时钟数） 00：4个时钟；01：5个；10：6个；11：7个时钟 注： SDRAM的行周期= Trp + Tsrc。 Refresh_count：刷新计数值 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 保 留 Refresh_count 4、REFRESH---刷新控制寄存器 31 …… 24 23 22 21 20 19 18 17 16 保 留 REFEN TREFMD Trp Tsrc 保留
Refresh count:刷新计数器值 计算公式: 刷新周期=(21- Refresh count+1)/HCLK 例子:设刷新周期=156μs,HCLK=60MHz 则刷新计数器值=211-60×156=1113 1113=0x459=0b10001011001
Refresh_count：刷新计数器值 计算公式： 刷新周期=（2 11 - Refresh_count+1）/HCLK 例子：设刷新周期=15.6µs，HCLK=60MHz 则 刷新计数器值=211+1-60×15.6=1113 1113=0x459=0b10001011001
5、 BANKSIZE--BANK6/7组大小控制寄存器 7 5 4 3X 2 0 BURST EN X SCKE ENSCLK E BK76MAP 高24位未用 BURST EN:ARM突发操作控制 0:禁止突发操作;1:可突发操作 SCKE EN:SCKE使能控制 SDRAM省电模式 0:关闭省电模式;1:使能省电模式 SCLK EN:SCLK省电控制,使其只在 SDRAM访问周期内 使能SCLK 0:SCLK一直有效;1:SCLK只在访问期间有效 BK76MAP:控制BANK67的大小及映射
高24位未用。 BURST_EN：ARM突发操作控制 0：禁止突发操作；1：可突发操作 SCKE_EN：SCKE使能控制SDRAM省电模式 0：关闭省电模式；1：使能省电模式 SCLK_EN：SCLK省电控制，使其只在SDRAM访问周期内 使能SCLK 0：SCLK一直有效；1：SCLK只在访问期间有效 BK76MAP：控制BANK6/7的大小及映射 7 6 5 4 3 2 1 0 BURST_EN X SCKE_ENSCLK_EN X BK76MAP 5、BANKSIZE---BANK6/7组大小控制寄存器