非本征半导体材料：p型 受主杂质 糁入第III族元素（如铟In,镓Ga,铝Al),晶体只需要很少的能量 AEA<E。就可以产生自由空穴
非本征半导体材料：p型 掺入第III族元素(如铟In,镓Ga,铝Al)，晶体只需要很少的能量 DEA < Eg 就可以产生自由空穴 B 受主杂质
受主能级 电子浓度分布 受主能级电离使导带 EA 空穴浓度增加 Ev 空穴浓度分布 被受主杂质束缚的空穴所处的能级称为受主能级 受主能级位于靠近价带E的禁带中 空穴获得较小的能量△E,后就能反向跃迁到价带成为导电空穴
受主能级 被受主杂质束缚的空穴所处的能级称为受主能级 受主能级位于靠近价带EV的禁带中 空穴获得较小的能量DEA后就能反向跃迁到价带成为导电空穴 电子浓度分布 空穴浓度分布 受主能级电离使导带 空穴浓度增加 电 子 能 量
浓度作用定律 本征材料：电子和空穴总是成对出现 非本征材料：一种载流子的增加伴随着另一种载流子的减少 「多数载流子：n型半导体中的电子或者p型半导体中的空穴 L少数载流子：n型半导体中的空穴或者p型半导体中的电子 在热平衡的条件下，对于（非）本征半导体，两种载流子的乘积 等于一个常数： pn =n
2 pn n i 在热平衡的条件下，对于(非)本征半导体，两种载流子的乘积 等于一个常数： 浓度作用定律 本征材料：电子和空穴总是成对出现 非本征材料：一种载流子的增加伴随着另一种载流子的减少 多数载流子：n型半导体中的电子或者p型半导体中的空穴 少数载流子：n型半导体中的空穴或者p型半导体中的电子
pn结 ++ n型 耗尽层 p型 电势 U-L 1.浓度的差别导致载流子的扩散运动 2.内建电场的驱动导致载流子做反向漂移运动
pn结 U 电势 2. 内建电场的驱动导致载流子做反向漂移运动 n型 p型 耗尽层 1. 浓度的差别导致载流子的扩散运动
反向偏压使耗尽区加宽 扩散运动被抑制，只存在少数载流子的漂移运动 n型←← 耗尽层 型 k U
反向偏压使耗尽区加宽 扩散运动被抑制，只存在少数载流子的漂移运动 U n型 p型 耗尽层