可擦除的PROM(EPROM) ①UVEPROM UVEPROM基本存储单元采用浮栅雪崩注入型 MOS管（简称FAMOS管），结构和符号如图所示。 D 若DS间加负高压(-45V,D与衬底间的PN结产生 雪崩击穿，耗尽区的电子从D的P+向外射出，速度快达 浮置栅，形成存储电荷。电压去掉后，能长期保存， 使D-S间形成导电沟道，FAMOS导通
可擦除的PROM(EPROM) ① UVEPROM UVEPROM基本存储单元采用浮栅雪崩注入型 MOS管(简称FAMOS管)，结构和符号如图所示。 若DS间加负高压(-45V)，D与衬底间的PN结产生 雪崩击穿，耗尽区的电子从D的P+向外射出，速度快达 浮置栅，形成存储电荷。电压去掉后，能长期保存， 使D-S间形成导电沟道，FAMOS导通
紫外线或X射线照射栅极氧化层，可使之放电。 FAMOS管截止，称擦除。为便于擦除，外壳有透明石 英盖板，如图所示。 石英盖板
紫外线或X射线照射栅极氧化层，可使之放电。 FAMOS管截止，称擦除。为便于擦除，外壳有透明石 英盖板，如图所示
用FAMOS管作基本存储单元时，还需一P沟道MOS管与之 串联，如图所示。 出厂时，FAMOS管都处于截止状态。 写：地址码使字线为低 VDD 电平；在需写“1的位线 上加负脉冲，相应的 FAMOS雪崩击穿。 字线 读：地址码使字线为低 T2 电平；已注入电荷的 FAMOS管导通，使位线变 FAMOS 位 Ti 为高电平，读出“1”；否 则，读出“0
用FAMOS管作基本存储单元时，还需一P沟道MOS管与之 串联，如图所示。 出厂时，FAMOS管都处于截止状态。 写：地址码使字线为低 电平；在需写“1”的位线 上加负脉冲，相应的 FAMOS雪崩击穿。 读：地址码使字线为低 电平；已注入电荷的 FAMOS管导通，使位线变 为高电平，读出“1”；否 则，读出“0
用FAMOS管作基本存储单元集成度低，且所需击穿电 压高。目前，多改用叠栅注入型MOS管（简称SIMOS管），如 图所示。 两重叠栅：Gc用于控制读写；G用于保存注入的电荷。 G Si02 D P 未注入电荷时，Gc加高电平会使SIMOS管导通。注入电 荷后，需更高电压。 D-S间加高压(20~25V),雪崩击穿。若同时在Gc上加高 压脉冲(25V,50ms),则速度较高的电子被G俘获成注入电 荷，相当于写入“1，否则为“0
用FAMOS管作基本存储单元集成度低，且所需击穿电 压高。目前，多改用叠栅注入型MOS管(简称SIMOS管)，如 图所示。 两重叠栅：GC用于控制读写；Gf用于保存注入的电荷。 未注入电荷时，GC加高电平会使SIMOS管导通。注入电 荷后，需更高电压。 D-S间加高压(20～25V)，雪崩击穿。若同时在Gc上加高 压脉冲(25V，50 ms)，则速度较高的电子被Gf俘获成注入电 荷，相当于写入“1”，否则为“0