9.2只读存储器(R0W) ·根据数据写入方式，ROM可分为以下几种： 31.固定ROM。 ®厂家把数据写入存储器中，用户无法进行任何修改。 2.一次性可编程ROM(PROM)。 ⑧出厂时，存储内容全为1（或全为0)，用户可根据自己的需 要编程，但只能编程一次。 R3.光可擦除可编程ROM(EPROM)。 ⑧采用浮栅技术生产的可编程存储器。其内容可通过紫外线照 射而被擦除，可多次编程
9.2 只读存储器(ROM) ❖ 根据数据写入方式，ROM可分为以下几种: 1.固定ROM。 厂家把数据写入存储器中，用户无法进行任何修改。 2.一次性可编程ROM（PROM）。 出厂时，存储内容全为1（或全为0），用户可根据自己的需 要编程，但只能编程一次。 3.光可擦除可编程ROM（EPROM）。 采用浮栅技术生产的可编程存储器。其内容可通过紫外线照 射而被擦除，可多次编程
⑧4.电可擦除可编程ROM(E2PROM)。 3也是采用浮栅技术生产的可编程ROM,但是构成其存储单 元的是隧道MOS管，是用电擦除，并且擦除的速度要快的 多（一般为毫秒数量级）。E2PROM的电擦除过程就是改 写过程，它具有ROM的非易失性，又具备类似RAM的功 能，可以随时改写（可重复擦写万次以上)。 a5.快闪存储器(Flash Memory)。 ⑧也是采用浮栅型MOS管，存储器中数据的擦除和写入是分 开进行的，数据写入方式与EPROM相同，一般一只芯片 可以擦除/写入100万次以上
4.电可擦除可编程ROM（E2PROM）。 也是采用浮栅技术生产的可编程ROM，但是构成其存储单 元的是隧道MOS管，是用电擦除，并且擦除的速度要快的 多（一般为毫秒数量级）。E2PROM的电擦除过程就是改 写过程，它具有ROM的非易失性，又具备类似RAM的功 能，可以随时改写（可重复擦写1万次以上）。 5.快闪存储器（Flash Memory）。 也是采用浮栅型MOS管，存储器中数据的擦除和写入是分 开进行的，数据写入方式与EPROM相同，一般一只芯片 可以擦除/写入100万次以上
9.2.1 ROM的内部结构： ÷由地址译码器和存储矩阵组成。 存储单元 Wo 字线 Ao 0单元 W1 1单元 地 址输入 . 译码 Wi 单元 . W21 Anl 2”1单元 位线 Do D 输出数据
❖ 9.2.1 ROM的内部结构： ❖ 由地址译码器和存储矩阵组成。 输 A1 A 器 . 地 入 址 译 0 n1 地 码 址 A . i单元 n 2 £1 b 1 . 1 D . . W W i 0单元 D n . 1 . 位线 2 -1 输出数据 D W. 0 0 1单元 单元 W 存储单元 字线
9.2.2 固定ROM的工作原理 二极管固定ROM (1)ROM电路的结构 穿 ◆存储矩阵 (译码器) 存储单元可以用二极管、双极 型三极管或MOS管构成。 ◆地址译码器 A09 W0字 W2 W3 输出缓冲器 ◆输出缓冲器 位 输出缓冲器的作用有两个， D 一是能提高存储器的带负载能 普 力，二是实现对输出状态的三 隋 线 D 态控制，以便与系统的总线连 (编码器) 接。 D Do EN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . EN D EN EN D D D EN . D D D D 0 0 1 1 2 2 3 3 输出缓冲器 位 线 0 W1 W2 W3 字 线 与 门 阵 列 （译码器） EN . . 1 A （编码器） . . . . 或 0 . . 1 . . A 1 . 阵 1 C C 门 . 1 W V 列 . ❖ 二极管固定ROM 9.2.2 固定ROM的工作原理 ◆ 存储矩阵 存储单元可以用二极管、双极 型三极管或MOS管构成。 ◆ 地址译码器 ◆ 输出缓冲器 输出缓冲器的作用有两个， 一是能提高存储器的带负载能 力，二是实现对输出状态的三 态控制，以便与系统的总线连 接。 （1）ROM电路的结构
(2)ROM电路的工作原理 Vcc' A A WO W1 W2 W3 0 0 0 0 0 址译码 0 1 0 1 0 极管ROM的结构图 0 0 0 1 0 0 0 输出缓冲器 D3 A1 A0 D3 D2 D1 D0 EN 0 0 0 0 1 D2 0 0 矩 D11 0 0 0 0 0 D EN
二极管ROM 的结构图 （ 2 ）ROM电路的工作原理 A 1 A 0 D 3 D 2 D 1 D 0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 A1 A0 W 0 W 1 W 2 W 3 0 0 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 0 0 0 1 0 1 1 0 0 0 1 0101 001 1011