4场效应管放大电路 分类: N沟道 JFET (耗尽型) 结型 P沟道 FET N沟道 场效应管 增强型 MOSFET P沟道 (GFET) 绝缘栅型耗尽型∫N沟道 P沟道 HOME NEXT
N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 分类：
4.1结型场效应管 41.1JFET的结构和工作原理 ●结构 工作原理 4.1.2JFET的特性曲线及参数 ●输出特性 ●转移特性 ●主要参数 HOME
4.1 结型场效应管 • 结构 • 工作原理 • 输出特性 • 转移特性 • 主要参数 4.1.1 JFET的结构和工作原理 4.1.2 JFET的特性曲线及参数
411JFET的结构和工作原理 1.结构 D G HOME BACK NEXT
4.1.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构
441结型 场效应管4.1.1JFET的结构和工作原理 1.结构 栅极,用G 漏极,用 源极,用S或s表或g表示 D或d表示 S N型导电沟道 符号 D P沟道 P型区 山oME)#符号中的箭头方向表示什么? BACK NEXT
源极，用S或s表示 N型导电沟道 漏极，用 D或d表示 P型区 栅极，用G 或g表示 栅极，用G 或g表示 符号 4.1.1 JFET的结构和工作原理 4.1 结型 场效应管 1. 结构 # 符号中的箭头方向表示什么？
441结型 场效应管2.工作原理(以N沟道IET为例 ③Vcs和Vs同时作用时 当v<Vs<0时,导电沟 道更容易夹断,对于同样 D, mA SV 的vs,的值比s=0时 的值要小 P、 在预夹断处 DD GD DS 吃 HOME BACK NEXT
2. 工作原理 4.1 结型 场效应管 ① VGS对沟道的控制作用 当VGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应 的栅源电压VGS称为夹断 电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP <0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 → → VGS继续减小，沟道 继续变窄 ② VDS对沟道的控制作用 当VGS=0时，VDS → ID G、D间PN结的反向电 压增加，使靠近漏极处的 耗尽层加宽，沟道变窄， 从上至下呈楔形分布。 当VDS增加到使VGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预 夹断。 此时VDS → 夹断区延长 → 沟道电阻→ID基本不变 ③ VGS和VDS同时作用时 当VP <VGS<0 时，导电沟 道更容易夹断，对于同样 的VDS ，ID的值比VGS=0时 的值要小。 在预夹断处 VGD=VGS-VDS =VP