第五章 存储系统及半导体存储器
第五章 存储系统及半导体存储器
半导体存储器的分类 随机存取存储器 要 只读存储器 内 CPU与存储器的连接 容 微机中存储系統的结构
主要内容 半导体存储器的分类 随机存取存储器 只读存储器 CPU与存储器的连接 微机中存储系统的结构
半导 今双极性半导体RAM 体 冷动态金属氧化物(MOS)RAM 存4读写存储器 储 令掩膜式ROM 器 ☆可编程ROM( PROM, Programmable ROM) 为 可擦除的PROM( EPROM, Erasable 分类 Programmable ROM) 电可擦除的PROM(E2PROM, Electrically Erasable Programmable ROM)
半 导 体 存 储 器 的 分 类 随机存取存储器 ❖双极性半导体RAM ❖动态金属氧化物（MOS)RAM 读写存储器 ❖掩膜式ROM ❖可编程ROM(PROM,Programmable ROM) ❖可擦除的PROM（EPROM，Erasable Programmable ROM） ❖电可擦除的PROM（E2PROM，Electrically Erasable Programmable ROM）
令基本的存储电路 行选线(字选线) Vcc (X地址) T4 机存取存储器 T 数据线(位线 列选线(Y地址 令典型的静态RAM芯片 6116(2KB×8位)、6264(8KB×8位) 62256(32KB×8位)、628128(128KB×8 位)等
随 机 存 取 存 储 器 静态RAM（SRAM) ❖基本的存储电路 ❖典型的静态RAM芯片 6116（2KB×8位）、6264（8KB×8位）、 62256（32KB×8位）、628128（128KB×8 位）等
令单管动存储电路 字选线工 机存取存储器 数据线 C 图5.5单管动态存储电路 今动态RAM的刷新 为保持电容中的电荷不丢失,必须对动态RAM不断 进行出和再写入
随 机 存 取 存 储 器 动态RAM（DRAM) ❖单管动态存储电路 ❖动态RAM的刷新 为保持电容中的电荷不丢失，必须对动态RAM不断 进行读出和再写入