③大学 第四讲晶体三极管 晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入、输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数
第四讲 晶体三极管 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入、输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数
三极管的结枘和巷号 为什么有孔? 集电极 小功率管 中功率管大功率管 发射区基区集电区 P oc 发射极 集电极 多子浓度高发点 e 9集电结 NPN型 PNP型 基极 多子浓度很 面积大 低,且很薄 晶体管有三个极、三个区、两个N结
一、三极管的结构和符号 多子浓度高 多子浓度很 低，且很薄 面积大 晶体管有三个极、三个区、两个PN结。 小功率管 中功率管 大功率管 为什么有孔？
晶体管的放大原理 放大的条件{4m>Co(发射结正偏) u20,即x2m(集电结反偏) 少数载 流子的 lc 因集电区面积大,在外电场作用下大 运动 部分扩散到基区的电子漂移到集电区 因基区薄且多子浓度低,使极少 数扩散到基区的电子与空穴复合 Rb 因发射区多子浓度高使大量 电子从发射区扩散到基区 基区空穴 的扩散 扩散运动形成发射极电流l,复合运动形成基极 电流,漂移运形成集电极电流lc
二、晶体管的放大原理 ，即 （集电结反偏） （发射结正偏） 放大的条件 CB CE BE BE ON u 0 u u u U 扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极 电流IB，漂移运形成集电极电流IC。 少数载 流子的 运动 因发射区多子浓度高使大量 电子从发射区扩散到基区 因基区薄且多子浓度低，使极少 数扩散到基区的电子与空穴复合 因集电区面积大，在外电场作用下大 部分扩散到基区的电子漂移到集电区 基区空穴 的扩散
电流分配:=+l 正一扩散运动形成的电流 R 石一复合运动形成的电流 L-漂移运动形成的电流m 直流电流 交流电流放大系数 放大系数 B B CEo=(1+β) CBO 穿透电流 为什么基极开路集电极回 集电结反向电流路会有穿透电流?
• 电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 CEO CBO B C B C (1 ) I I i i I I = + = = 穿透电流 集电结反向电流 直流电流 放大系数 交流电流放大系数 为什么基极开路集电极回 路会有穿透电流？
三、晶体管的共射输入特性和输出特性 1、输入特性=/()a 0.5V 为什么像PN结的伏安特性? 为什么Uc增大曲线右移? 为什么UCE增大到一定值曲 线右移就不明显了? 对于小功率晶体管,Uc大于1V的一条输入特性曲线 可以取代UcE大于v的所有输入特性曲线
三、晶体管的共射输入特性和输出特性 C E ( ) B uBE U i = f 为什么UCE增大曲线右移？ 对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线 可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。 为什么像PN结的伏安特性？ 为什么UCE增大到一定值曲 线右移就不明显了？ 1、输入特性