、饱和模式 在饱和模式下,I和I将同时受到两个结正偏电压的控制,已不再 具有放大模式下的正向受控作用。且随着集电结正偏电压Vc的增大, Ⅰ增大,导致I和工迅速减小。同时,由于正、反向传输的载流子在基 区中均有复合、且增加了I中的空穴电流成分(由基区中多子空穴通过 集电结而形成的),基极电流I大于工作在放大模式下的数值,且其值 随I增大而迅速增大。因此,与I之间或I与L之间均不满足放大模 式下的电流传输方程。鉴于两个结均为正偏,且已失去正向受控作用, 因而在饱和模式下,它们可近似用两个导通电压表示,分别为VB(sA) 和VBC(sAT,称为饱和导通电压( SaturationTurn-onVoltage),它们的 数值稍大于放大模式下相应的导通电压 对于硅管,一般取 BE (SAT)BE (on) 07V CE(SAT) =0.4V AT) BC (SAT) BC(on E CE (SAT) 0.3V
16 在饱和模式下，IC和IE将同时受到两个结正偏电压的控制，已不再 具有放大模式下的正向受控作用。且随着集电结正偏电压VBC的增大， IR增大，导致IC和IE迅速减小。同时，由于正、反向传输的载流子在基 区中均有复合、且增加了IR中的空穴电流成分(由基区中多子空穴通过 集电结而形成的)，基极电流IB大于工作在放大模式下的数值，且其值 随IR增大而迅速增大。因此，IC与IE之间或IC与IB之间均不满足放大模 式下的电流传输方程。鉴于两个结均为正偏，且已失去正向受控作用， 因而在饱和模式下，它们可近似用两个导通电压表示，分别为VBE（SAT） 和VBC（SAT），称为饱和导通电压(SaturationTurn-onVoltage)，它们的 数值稍大于放大模式下相应的导通电压 一、饱和模式 对于硅管，一般取 VBE（SAT）=VBE（on）=0.7V VBC（SAT）=VBC（on）=0.4V VCE（SAT）=0.3V VBE （SAT） VCE（SAT）
截止模式 按这种模式工作时,两个结均为反偏;若忽略它们的反 向饱和电流,则可近认为三极管的各级电流均为零,故 简化的电路模型可以用两段开路线来代替 B E
17 截止模式 按这种模式工作时，两个结均为反偏；若忽略它们的反 向饱和电流，则可近认为三极管的各级电流均为零，故 简化的电路模型可以用两段开路线来代替
三、BJT的特性曲线: 三极管的连接方式 共发射极 共基极 共集电极
18 三、BJT的特性曲线： 共发射极 共基极 共集电极 三极管的连接方式
、BJT的特性曲线: 1.共射极电路的特性曲线: i ℃ (1)输入特性:输入特性是指当集 电极与发射极之间的电压vcp为某 常数时,输入回路中加在BJT 基极与发射极之间的电压v与基 极电流之间的关系曲线,用函 20 数关系表示为 f 常数 输人特性 BE川CE NPN型硅BJT的共射极接法特性曲线 19
19 三、BJT的特性曲线： (1)输入特性: 输入特性是指当集 电极与发射极之间的电压vCE为某 一常数时，输入回路中加在BJT 基极与发射极之间的电压vBE与基 极电流iB之间的关系曲线，用函 数关系表示为: iB =f(vBE)|vCE =常数 1．共射极电路的特性曲线:
共射极电路的特性曲线 共发射极连接时,Ⅴα=VcB-VB,其中发射结正偏,V约在0.7V附近变 化,因此∨c中的大部分电压都加在集电结上,当VcE增大时,集电结上反 偏电压ⅤcB大,导致集电结阻挡层宽度增大,结果是基区的实际宽度W减 小,因而,由发射区注入的非平衡少子电子在向集电结扩散过程中与基区 中多子空穴复合的机会减小,从而使I减小。通常将V引起基区实际宽度 变化而导致电流变化的效应称为基区宽度调制效应。 相对于L随V的变化来说,V(通过基区宽度调制效应引起Ia的变化毕竟 是第二位的。在工程分析时,晶体三极管工作在放大模式下(VCE>0.3V),可 以不考虑这种影响,近似认为输入特性曲线是一条不随∨而移动的曲线。 当发射结为反偏时,基极反向饱和电流很小。但当V向负值方向增大到 VoBRBEO时,发射结击穿,基极反向电流迅速增大。 VOBRJBEO称为发射结反向 击穿电压,其值在-6V左右
20 共发射极连接时，VCE=VCB-VBE，其中发射结正偏，VBE约在0.7V附近变 化，因此VCE中的大部分电压都加在集电结上，当VCE增大时，集电结上反 偏电压VCB大，导致集电结阻挡层宽度增大，结果是基区的实际宽度WB减 小，因而，由发射区注入的非平衡少子电子在向集电结扩散过程中与基区 中多子空穴复合的机会减小，从而使IB减小。通常将VCE引起基区实际宽度 变化而导致电流变化的效应称为基区宽度调制效应。 共射极电路的特性曲线 当发射结为反偏时，基极反向饱和电流很小。但当VBE向负值方向增大到 V(BR)BEO时，发射结击穿，基极反向电流迅速增大。V(BR)BEO称为发射结反向 击穿电压，其值在-6V左右。 相对于IB随VCE的变化来说，VCE通过基区宽度调制效应引起IB的变化毕竟 是第二位的。在工程分析时，晶体三极管工作在放大模式下(VCE>0.3V)，可 以不考虑这种影响，近似认为输入特性曲线是一条不随VCE而移动的曲线