(2)Ge-APD更多的是采用吸收区与 雪崩倍增区相互分离的APD管,这种APD 管称为SAM-APD。 SAM-APD管的结构如图6-5所示,有 四层结构: Q高掺杂的N型半导体,为接触层 QP型半导体,为倍增层(或称雪崩区); Q轻摻杂半导体层,为漂移区(光吸收 区) Q高摻杂的P型半导体,为接触层。 点击此处结束放映 4合D
16 （2）Ge-APD更多的是采用吸收区与 雪崩倍增区相互分离的APD管，这种APD 管称为SAM-APD。 SAM-APD管的结构如图6-5所示，有 四层结构：
入射光 图65SAM-APD的的结构 点击此处结束放映 4合D
17 图6-5 SAM-APD的的结构
2.APD的工作原理君 下面分析SAM-APD管的工作原理: (1)SAM-APD管有四层结构:高掺 杂的N+型半导体,为接触层;P型半导体, 为倍增层(或称雪崩区);轻掺杂半导体I 层,为漂移区(光吸收区);高掺杂的P+ 型半导体,为接触层。如图6-6所示。 点击此处结束放映 4合D
18 下面分析SAM-APD管的工作原理： （1）SAM-APD管有四层结构：高掺 杂的N+型半导体，为接触层； P型半导体， 为倍增层（或称雪崩区）；轻掺杂半导体I 层，为漂移区（光吸收区）；高掺杂的P+ 型半导体，为接触层。如图6-6所示
9 反面入射的雪崩二极管的结构 + N 反面入射的雪崩二极管结构是由P+I PN+的不同导电类型的半导体组成的 图6-6 SAM-APD管的结构 点击此处结束放映 4合D
19 图6-6 SAM-APD管的结构
20 (2)当外加的反向偏压(约100V—150V) 比PIN情况下高得多时,这个电压几乎都 降到PN结上。特别是在高阻的PN结附近, 电场强度可高达105V/m,已经高出碰撞电 离的电场。SAM-APD管在外加的反向偏压 (约50V-150V)下的场分布如图6-7所示。 (3)此时若光从P区照射,则和PIN 样,大部分光子将在较厚的I层被吸收,因 而产生电子、空穴对。如图6-8所示。 点击此处结束放映 4合D
20 (2)当外加的反向偏压(约100V—150V) 比PIN情况下高得多时，这个电压几乎都 降到PN结上。特别是在高阻的PN结附近， 电场强度可高达105V/m，已经高出碰撞电 离的电场。SAM-APD管在外加的反向偏压 (约50V—150V)下的场分布如图6-7所示。 (3) 此时若光从P+区照射，则和PIN一 样，大部分光子将在较厚的I层被吸收，因 而产生电子、空穴对。如图6-8所示