612雪圳光电二极管蕌 雪崩光电二极管应用光生载流子在其耗尽 区(高场区)内的碰撞电离效应而获得光生电流的 雪崩倍增。 1.雪崩光电二极管的结构昌 雪崩光电二极管(APD)的的结构与PIN PD不同表现在增加了一个附加层,以实现碰撞 电离产生二次电子一空穴对,在反向时夹在I层 和N层间的P层中存在高电场,该层称为倍增区 或增益区(雪崩区),耗尽层仍为I层,起产生 次电子一空穴对的作用。 点击此处结束放映 4合D
11 雪崩光电二极管应用光生载流子在其耗尽 区(高场区)内的碰撞电离效应而获得光生电流的 雪崩倍增。 雪崩光电二极管(APD)的的结构与PIN— PD不同表现在增加了一个附加层，以实现碰撞 电离产生二次电子—空穴对，在反向时夹在I 层 和N层间的P层中存在高电场，该层称为倍增区 或增益区（雪崩区）,耗尽层仍为I层，起产生一 次电子—空穴对的作用
2 目前光纤通信系统中,在短波段主要采 用Si-APD管,在长波段主要采用Ge-APD 管。 常用的APD结构包括拉通型APD和保 护环型APD,如图6-3所示。由于要实现电 流放大作用需要很高的电场,因此只能在 图中所示的高场区发生雪崩倍增效应。 点击此处结束放映 4合D
12 目前光纤通信系统中，在短波段主要采 用Si-APD管，在长波段主要采用Ge-APD 管。 常用的APD结构包括拉通型APD和保 护环型APD，如图6-3所示。由于要实现电 流放大作用需要很高的电场，因此只能在 图中所示的高场区发生雪崩倍增效应
13 E|▲ E 高场区 高场区 (a)拉通型APD (b)保护环型APD 图6-3APD的结构 点击此处结束放映 4合D
13 图6-3 APD的结构
(1)Si-APD最典型的结构是拉通型 RAPD如图6-4所示,有四层结构 高摻杂的N型半导体,为接触层 P型半导体,为倍增层(或称雪崩区); 轻摻杂半导体π层,为漂移区(光吸收 区) 高掺杂的P型半导体,为接触层。 点击此处结束放映 4合D
14 （1）Si-APD最典型的结构是拉通型 RAPD如图6-4所示，有四层结构：
防反射涂层个射 N电极si02 N 保护环 P 沟道塞 丌(P) P电极 图64RAPD的的结构 点击此处结束放映 4合D
15 图6-4 RAPD的的结构