l:正向平均电流 电子技术 dianzI —环境温度为40C及标准散热条件下,晶闸 管处于全导通时可以连续通过的工频正弦 半波电流的平均值。 如果正弦半波电流的最大值为Jm,则 F 2Tt 0 Im sin atd(at) T F 2丌 普通晶闸管J为1A—1000A 临目章目剥返回止上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 π sin ( ) 2π 1 m π 0 F m I I = I t d t = 正向平均电流 环境温度为40 C及标准散热条件下，晶闸 管处于全导通时可以连续通过的工频正弦 半波电流的平均值。 IF： IF t 2 i 如果正弦半波电流的最大值为Im, 则 普通晶闸管IF为1A — 1000A
电子技术 维持电流 dianzI 在规定的环境和控制极断路时,晶闸管维持导 通状态所必须的最小电流 般为几十~一百多毫安。 UF:通态平均电压(管压降 在规定的条件下,通过正弦半波平均电流时, 晶闸管阳、阴极间的电压平均值 般为V左右。 Ie:控制极触发电压和电流 室温下,阳极电压为直流6V时,使晶闸管完 全导通所必须的最小控制极直流电压、电流。 一般Uc为1到5V,lG为几十到几百毫安。 目式像日测返回上二页下一
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 UF : 通态平均电压（管压降） 在规定的条件下，通过正弦半波平均电流时， 晶闸管阳、阴极间的电压平均值。 一般为1V左右。 IH: 维持电流 在规定的环境和控制极断路时，晶闸管维持导 通状态所必须的最小电流。 一般IH为几十 ~ 一百多毫安。 UG、IG：控制极触发电压和电流 室温下，阳极电压为直流6V时，使晶闸管完 全导通所必须的最小控制极直流电压、电流 。 一般UG为1到5V，IG为几十到几百毫安
晶闸管型号及其含义 电子技术 dianzI KP口一口口 导通时平均电压组别 共九级,用字母A~表示04-12V 额定电压,用百位或千位数表示 取UP或URR较小者 额定正向平均电流(p) 普通型晶闸管类型) P—普通晶闸管 K--快速晶闸管 晶闸管 S--双向晶闸管 如KP5-7表示额定正向平均电流为5A,额定电压为700V。 临目章目剥返回止上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 晶闸管型号及其含义 导通时平均电压组别 共九级, 用字母A~I表示0.4~1.2V 额定电压,用百位或千位数表示 取UFRM或URRM较小者 额定正向平均电流(IF ) （晶闸管类型） P--普通晶闸管 K--快速晶闸管 S --双向晶闸管 晶闸管 K P 普通型 如KP5-7表示额定正向平均电流为5A,额定电压为700V
电子技术 20.2可控整流电路 dianzI 202.1单相半波可控整流 0 1.电阻性负载 (1)电路 计+L T L RLu L>0时: 若2=0,晶闸管不导通,=0,r= 控制极加触发信号,晶闸管承受正向电压导通, ≈0 u<0时:晶闸管承受反向电压不导通, 0,Wr=u,故称可控整流。 临目章目剥返回止上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 20.2 可控整流电路 20.2.1 单相半波可控整流 1. 电阻性负载 (1) 电路 u > 0 时： 若ug = 0，晶闸管不导通， uo = 0, uT = u 。 uo = u , uT 0。 u < 0 时: 晶闸管承受反向电压不导通, uo = 0, uT = u ，故称可控整流。 控制极加触发信号，晶闸管承受正向电压导 通， u RL uo + – + uT – + – T io
电子技术 (2)工作原理 dianzI ot 2兀 g ot u>0时:0~at1,un=0,晶闸管不导通。 g 0 L O1:加触发信号,晶闸管承受正向电压导通 U,L≈ T 0 u<0时:可控硅承受反向电压不导通 lo=0,=lo即:晶闸管反向阻断 目式像日测返回上二页下一
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 (2) 工作原理 t1 2 u < 0 时: 可控硅承受反向电压不导通 uo = 0 , uT = u 。 即：晶闸管反向阻断 : 1 t 加触发信号，晶闸管承受正向电压导通 uo = u , uT 0。 t u O u > 0时: 0 ~ t1 , ug = 0 , 晶闸管不导通。 uo = 0, uT = u 。 ug O t